蔡纯
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 隧道效应磁电阻器件及制备方法
- 本发明涉及一种隧道效应磁电阻器件及制备方法。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端...
- 赵柏儒蔡纯龚伟志许波张福昌
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- 锰氧化合物平面结和自旋极化电子隧道效应的研究
- 该论文的主要目的是制备锰氧化合物平面隧道结,研究自旋极化电子的隧道磁电阻效应,并希望通过隧道谱的测量揭示锰氧化合物的基本物理性质.我们采用脉冲激光沉积法在(001)取向的SrTiO<,3>衬底上生长高质量的锰氧化合物薄膜...
- 蔡纯
- 关键词：隧道结磁电阻磁电子学
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- 锰氧化合物平面隧道结的自旋极化隧道效应
- 在本文中我们报道了以La2/3Cal/3Mn03作为电极、以SrTi03作为势垒的平面隧道结的制备.我们采用了两端法、三端法和四端法测量该隧道结的隧穿电流-偏压关系,讨论了底电极电阻对上述测量结果的影响.同时采用锁相技术...
- 蔡纯
- 关键词：赝能隙
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- 隧道效应磁电阻器件及制备方法
- 本发明涉及一种隧道效应磁电阻器件及制备方法。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端...
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- 一种在钛酸锶基片上制备纳米级有序微裂纹的方法
- 本发明属于纳米结构制备领域。通过激光溅射在STO基片上沉积LCMO薄膜，利用热处理过程中LCMO薄膜的自组织行为，通过控制制备过程中的沉积温度、退火温度及薄膜厚度等工艺条件，使得LCMO薄膜表面自发形成纳米级正交有序微裂...
- 赵柏儒龚伟志许波蔡纯张富昌罗鹏顺林媛
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- 具有亚微米有序微裂纹结构的钛酸锶基片的制备
- 本文采用脉冲激光沉积的方法,在钛酸锶(SrTiO<,3>)基片上制备了具有有序微裂纹结构的镧钙锰氧(La<,0.5>Ca<,0.5>MnO<,3>)薄膜.然后采用离子刻蚀的方法将镧钙锰氧薄膜剥离,则钛酸锶基片上留下了相应...
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- 关键词：超导薄膜脉冲激光沉积离子刻蚀光刻技术
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- 隧道效应磁电阻器件
- 本实用新型涉及一种隧道效应磁电阻器件。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端是引线...
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- 一种在钛酸锶基片上制备纳米级有序微裂纹的方法
- 本发明属于纳米结构制备领域。通过激光溅射在STO基片上沉积LCMO薄膜，利用热处理过程中LCMO薄膜的自组织行为，通过控制制备过程中的沉积温度、退火温度及薄膜厚度等工艺条件，使得LCMO薄膜表面自发形成纳米级正交有序微裂...
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