袁国火
- 作品数：16 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 辐照效应数据库的改进
- 在以前的辐射效应数据库工作的基础之上,用Delphi工具改进评估用辐射效应数据库结构,使各数据表之间的数据联系更明确,协调性增加,界面更优化,另外增强了部分功能,实现对一些数据的计算处理,提供数据查询、报表生成及打印等操...
- 袁国火徐曦贾温海
- 关键词：数据库结构
- 文献传递
- 高速DSP的PCB抗干扰设计技术
- 本文简要介绍了DSPS高速TMS320C6000系列器件,叙述了传输线的效应,着重阐述DSPS高速数字电路设计在PCB中的技术.
- 袁国火董秀成徐曦
- 关键词：DSPS抗干扰设计高速数字电路PCB
- 文献传递
- N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应被引量：3
- 2006年
- 介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验，测量了电源工作电流ICC，芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低的总剂量水平发生功能失效，γ失效总剂量-165Gy（Si）。芯片失效时工作电流发生快速增长。实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数，研究了剂量增强效应机理。
- 杨怀民徐曦邓建红詹峻岭赵聚朝王旭利袁国火
- 关键词：计算机芯片
- MTM反熔丝FPGA抗总剂量探讨
- 本文通过大量FPGA辐射效应调研,以具有代表性MTM反熔丝的FPGA总剂量效应的研究。得到MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6μm和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000Gy(Si...
- 袁国火詹峻岭
- 关键词：总剂量集成电路抗辐射加固
- 文献传递
- 可编程逻辑器件的辐照效应研究
- 介绍了现场可编程门阵列器件(FPGA)的基本知识,用硬件描述语言VHDL对FPGA芯片进行编程,着重以Actel公司的A1280A芯片为辐照样品进行中子模拟源辐照效应试验研究。
- 袁国火
- 关键词：现场可编程门阵列VHDL中子辐照效应
- 文献传递
- 反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨
- 本文分析了反熔丝FPGA器件工艺结构及其γ剂量率辐射效应机理,给出了几种反熔丝FPGA器件的γ剂量率辐照效应试验结果。试验结果表明,反熔丝FPGA器件γ剂量率失效主要是瞬时光电流扰动引起的,而全部样品对于γ瞬时扰动效应都...
- 赵洪超朱小锋杜川华袁国火
- 关键词：反熔丝FPGAΓ剂量率
- 文献传递
- 不同辐照条件下反熔丝FPGA的总剂量辐照效应研究
- 现场可编程集成电路FPGA得到了日益广泛的应用,这类器件是由典型外延CMOS工艺制造的,对γ电离总剂量辐射较为敏感。该文讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在两种不同偏置条件下的γ电离总剂量效应,并针对该公司...
- 袁国火徐曦
- 关键词：FPGA辐照效应
- 文献传递
- FPGA芯片A42MX16辐射效应探讨
- 大规模集成电路FPGA在空间领域得到了日益广泛的应用,然而,这类器件是CMOS工艺的,对电离辐射敏感。该文讨论了FPGA的发展,分类和辐射效应。
- 袁国火
- 关键词：集成电路FPGA
- 文献传递
- MTM反熔丝FPGA总剂量及加固技术被引量：5
- 2007年
- 以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ONO反熔丝0.6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33.2Gy,而MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000 Gy的总剂量能力。从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。
- 袁国火徐曦董秀成
- 关键词：MTM反熔丝总剂量
- 不同辐照条件下反熔丝FPGA的总剂量辐照效应研究
- 现场可编程集成电路FPGA得到了日益广泛的应用，这类器件是由典型外延CMOS工艺制造的，对γ电离总剂量辐射较为敏感。该文讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在两种不同偏置条件下的γ电离总剂量效应，并针对该公司...
- 袁国火徐曦
- 关键词：FPGA辐照效应
- 文献传递
