赵凯
- 作品数：26 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
- 一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法
- 本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法，该方法包括：利用树突电路实现权值的空间分布控制；利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系；以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的...
- 韩伟华熊莹张严波赵凯杨富华
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- 基于脉冲耦合神经网络模型的CMOS神经元电路
- 本文从生物神经元电化学特性出发，结合积分发放（IF）电路模型和脉冲耦合神经网络（PCNN）理论模型框架，提出了一种新型的脉冲耦合CMOS神经元电路，模仿神经元细胞体输出连续脉冲串。该神经元电路用并联的电容和CMOS晶体管...
- 熊莹韩伟华赵凯张严波杨香杨富华
- 关键词：脉冲耦合频率可调金属氧化物半导体电化学特性
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- 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
- 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电...
- 韩伟华熊莹赵凯杨香张严波王颖杨富华
- 抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器被引量：7
- 2007年
- 介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×1011rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PDSOICMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.
- 赵凯刘忠立于芳高见头肖志强洪根深
- 关键词：静态随机存储器
- 改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元
- 本发明一种改进的形成于部分耗尽SOI衬底上的静态随机存储器的存储单元，涉及静态随机存储器技术，该SRAM单元包含六只晶体管，即第一、第二存取NMOS晶体管，第一、第二驱动NMOS晶体管，第一、第二负载PMOS晶体管。在进...
- 赵凯刘忠立于芳
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- 基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器及偏振成像装置
- 一种基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器、其制备方法及偏振成像装置，该直接探测器包括IC插座台面，其上设有IC插座针脚；硅片，其设置在IC插座台面上，其上附有二氧化硅层；以及源电极、漏电极和半导体层，均设置在硅片的二氧化...
- 魏钟鸣赵凯杨珏晗文宏玉
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- 基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器及偏振成像装置
- 一种基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器、其制备方法及偏振成像装置，该直接探测器包括IC插座台面，其上设有IC插座针脚；硅片，其设置在IC插座台面上，其上附有二氧化硅层；以及源电极、漏电极和半导体层，均设置在硅片的二氧化...
- 魏钟鸣赵凯杨珏晗文宏玉
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- 具有复位功能的静态随机存储单元
- 一种具有复位功能的静态随机存储单元，其包括：一第一反相器，其包括第一驱动NMOS晶体管及第一负载PMOS晶体管；一第二反相器，其包括第二驱动NMOS晶体管及第二负载PMOS晶体管；该第一反相器的输出端与该第二反相器的输入...
- 吴利华韩小炜赵凯于芳
- SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟被引量：3
- 2011年
- 为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,通过与实际单粒子实验结果的对比,验证了这种模拟方法的实用性。
- 李振涛于芳刘忠立赵凯高见头杨波李宁
- 关键词：单粒子翻转静态随机存储器
- 主族层状低维半导体的偏振光探测器被引量：1
- 2022年
- 偏振探测在成像、遥感和生物检测等领域具有非常广泛的应用.为了契合光电领域高度集成化的发展目标,偏振光探测器的器件结构需要跳出复杂的检偏器与探测器分离式结构模型,开发新型探测路线.对偏振光天然敏感的主族层状低维半导体可实现直接偏振光探测,实现探测结构的简化.基于Ⅳ族锗系和锡系的低对称性层状半导体在短波近红外具有较高的光响应以及偏振灵敏度,并且基于二维GeSe的偏振光探测器已经实现对近红外实物的二维式扫描偏振成像.基于Ⅴ族锑系和铋系的层状半导体在可见光波段具有较宽的光谱响应以及低的探测噪声,也已实现偏振成像.基于该两类主族层状低维半导体的偏振成像为未来偏振图像传感技术提供了一种简洁可行的思路.
- 赵凯魏钟鸣夏建白
- 关键词：主族元素
