邓杰
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项北京市教育委员会人文社会科学研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理理学更多>>
- 东亚地区货币金融合作的现实基础与渐进性发展被引量：2
- 2008年
- 一、东亚货币金融合作的现实基础1．经济发展水平。东亚除日本外都是发展中国家，从经济总量上来看，中、日占主导地位，如果再加上“四小龙”，则占了整个东亚经济总量的绝大部分。从人均GNI来看，日本为第一层次，亚洲“四小龙”为第二层次，“四小虎”为第三层次，中国为第四层次，其他国家如越南、柬埔寨、老挝等为第五层次。东亚各国经济发展参差不齐，经济差距较大，比如，
- 邓杰
- 关键词：货币金融合作渐进性经济总量经济差距
- 高能效LED电极优化及器件制备技术研究
- 发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，因具有高效节能、绿色环保、寿命长等突出优点，广泛应用于通用照明、超越照明等众多领域。为了进一步提高GaN基LED的发光效率，满足LED市场日益增长的需求，本...
- 邓杰
- 关键词：发光二极管电流扩展
- 环渤海区域金融合作与经济协调发展研究
- “环渤海地区将成为继珠江三角洲和长江三角洲之后中国经济增长的第三极”这样的观点不断地被媒体和学者论述和肯定。但是与珠三角和长三角相比较，环渤海区域发展依然步履沉重。环渤海区域金融业的发展水平差异非常大，各地区之间尚未形成...
- 邓杰
- 关键词：环渤海区域区域金融合作协调发展博弈论
- 文献传递
- GaN基微缩化发光二极管尺寸效应和阵列显示被引量：3
- 2020年
- 设计制备了不同大小的单颗微缩化发光二极管(Micro-LED)和Micro-LED阵列.其中,单颗Micro-LED尺寸为40-100μm,其电极结构为共N极,P极单独引出;阵列像素数量为8×8,被动驱动结构,像素大小为60μm.器件制备过程中使用厚光刻胶作掩膜,刻蚀N型GaN外延片至衬底,形成隔离槽.通过优化电极结构和厚度,提高了P电极在隔离槽爬坡处的可靠性;使用现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)对Micro-LED被动阵列进行了驱动显示.对于不同尺寸的单颗Micro-LED进行了电学、光学、热学等方面的测试分析.结果表明:随着尺寸的减小,Micro-LED所能承受的电流密度越大;Micro-LED与普通蓝光LED相比具有较大的k系数,并且随着尺寸的减小,k系数的数值增大,热稳定性不如传统蓝光LED.FPGA可以实现对Micro-LED被动阵列的良好驱动.
- 邰建鹏郭伟玲李梦梅邓杰陈佳昕
- 关键词：尺寸效应
- 具有石墨烯/铟锑氧化物复合透明电极的GaN发光二极管被引量：3
- 2019年
- 近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压高等问题.本文将ITO薄层作为石墨烯透明电极与p-Ga N间的插入层,以改善石墨烯与p-Ga N层的欧姆接触.所制备的石墨烯透明电极的方块电阻为252.6Ω/□,石墨烯/ITO复合透明电极的方块电阻为70.1Ω/□;石墨烯透明电极与p-Ga N层的比接触电阻率为1.92×10^–2Ω·cm^2,ITO插入之后,其比接触电阻率降低为1.01×10^–4Ω·cm^2;基于石墨烯透明电极的发光二极管(light emitting diode,LED),在20 m A注入电流下,正向电压为4.84 V,而石墨烯/ITO复合透明电极LED正向电压降低至2.80 V,且光输出功率得到提高.这归因于石墨烯/ITO复合透明电极与p-Ga N界面处势垒高度的降低,进而改善了欧姆接触;另外,方块电阻的降低,使得电流扩展均匀性也得到了提高.所采用的复合透明电极减少了ITO的用量,得到了良好的欧姆接触,为LED透明电极提供了一种可行方案.
- 郭伟玲邓杰王嘉露王乐邰建鹏
- 关键词：透明电极石墨烯比接触电阻率
- 具有新型电极结构的功率发光二极管被引量：2
- 2022年
- 为进一步提高GaN基发光二极管(LED)的光效,以改进电极结构为研究点,设计并制备了具有叉指型电极形状,并在P/N电极下刻蚀出电极孔的新型电极结构。该结构使金属电极在P/N电极孔处分别与ITO层和N-GaN层直接接触,进而提高了器件的电流扩展能力和发光效率。为了得到更优的电流阻挡层(CBL)结构、电极孔尺寸和电极孔间距,设计了7种不同的器件,并对其进行了光电性能测试。测试结果表明:在150 mA工作电流下,不连续CBL结构不能够有效改善LED的发光性能;P电极孔尺寸对器件的性能影响不大,当P电极孔间距由20μm增大为30μm时,外量子效率(EQE)和光电转换效率(WPE)分别提升了约5.0%和3.8%;当N电极孔尺寸由17μm×5μm减小为10μm×5μm时,EQE和WPE分别提升了约6.5%和3.0%;当N电极孔间距由45μm减小为40μm时,并未有效改善器件的发光性能。
- 方奥琪郭伟玲许昊邓杰陈佳昕孙捷
- 关键词：光学器件GAN基发光二极管光电特性
- 京津在环渤海区域金融合作中的定位与发展
- 2009年
- 环渤海地区将成为继珠江三角洲和长江三角洲之后中国经济增长的第三极,但该区域金融中心的确定存在着多种意见,"京津双核"之间的竞争大于合作,不利于环渤海区域的发展。借鉴博弈论思想,可以帮助我们分析京津竞争大于合作及环渤海区域金融中心经济金融能量辐射不足的问题。北京作为环渤海金融中心的地位得到了相关的政策支持和肯定,我们研究讨论的焦点更应集中于加强京津合作,强化金融资源集聚辐射等合理配置的问题。
- 贺晓波邓杰
- 关键词：环渤海区域
- 电流阻挡层对大功率LED光电热特性的影响被引量：1
- 2020年
- LED芯片作为LED光源的核心,其质量直接决定了器件的性能、寿命等,因此在内量子效率已达到高水平的情况下,致力于提高光提取效率是推动LED芯片技术发展的关键一步。由于蓝宝石衬底具有绝缘特性,传统LED将N和P电极做在芯片出光面的同一侧,而芯片出光面上的P电极焊盘金属会遮挡吸收其正下方发光区发出的大部分光而造成光损失,为改善这一现象并缓解P电极周围的电流拥挤效应,本文设计制备了在P电极正下方的氧化铟锡(ITO)透明导电层和p-GaN之间插入SiO 2薄膜作为电流阻挡层(CBL)的大功率LED,并与无CBL结构的大功率LED相比较。对未封装的有无CBL结构的LED在350 mA电流下进行正向偏压,辐射通量,主波长等裸芯性能测试,结果显示两种芯片的正向偏压均集中在3~3.1 V,而有CBL结构的LED光输出功率有明显提升,这是因为CBL阻挡了电流在P电极正下方的扩散,减少流向有源区的电流密度,故减小了P电极对光的吸收和遮挡,且电流通过CBL引导至远离P电极的区域,缓解了电极周围的电流拥挤。对两种芯片进行相同结构和工艺条件的封装,并对封装样品进行热特性及10~600 mA的变电流光电特性测试,得到两种器件的发光光谱及光功率等光学特性。结果表明随着电流增加,两种器件的光谱曲线均发生蓝移,且有CBL结构的LED主波长偏移量较无CBL结构LED少10 nm,可见有CBL结构的LED光谱受驱动电流变化的影响更小,因此其显色性能更为稳定。而在小电流条件下,CBL对器件光功率的影响不大,随着工作电流的增大,CBL对器件光功率的改善效果逐渐提升。在大电流条件下,无CBL结构的LED结温更高,正向电压更低,随电流的增大二者之间的电压差增大。在25℃的环境温度,350 mA工作电流下,加入CBL结构使器件电压升高约0.04 V,但器件光功率最高提升了9.96%,且热阻明显小于无CBL结构器件,说明有CBL结构LED�
- 杨新郭伟玲王嘉露邓杰邰建鹏孙捷
- 关键词：大功率LED光功率热阻
