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郭志球

作品数:6 被引量:80H指数:3
供职机构:华南理工大学机械与汽车工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程动力工程及工程热物理电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇晶体硅
  • 2篇多晶硅绒面
  • 2篇绒面
  • 2篇各向同性
  • 2篇硅太阳电池
  • 1篇电池效率
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇多晶硅太阳电...
  • 1篇湿法化学腐蚀
  • 1篇太阳电池效率
  • 1篇体硅
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体硅电池
  • 1篇晶体硅太阳电...
  • 1篇晶体取向

机构

  • 5篇华南理工大学
  • 5篇中山大学

作者

  • 6篇郭志球
  • 5篇沈辉
  • 4篇刘正义
  • 3篇柳锡运
  • 2篇胡芸菲
  • 1篇郑广富
  • 1篇闻立时
  • 1篇陶龙忠
  • 1篇许欣翔

传媒

  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇能源工程
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响被引量:3
2007年
多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.
胡芸菲沈辉柳锡运郭志球刘正义
关键词:多晶硅沉积温度晶体生长晶体取向太阳电池
晶体硅太阳电池制备工艺进展被引量:4
2005年
晶体硅太阳电池是目前应用最广、技术最为成熟的太阳电池,以晶体硅太阳电池生产流程为基础,主要从降低生产成本和提高电池转换效率方面出发,介绍了太阳电池制备工艺的最新进展,并对各种制备工艺作出了评价和展望。
郭志球胡芸菲沈辉刘正义
关键词:晶体硅太阳电池
各向同性腐蚀法制备多晶硅绒面被引量:24
2007年
本文介绍了一系列利用各向同性腐蚀法制备多晶硅绒面的试验,腐蚀液为硝酸和氢氟酸的混合溶液,添加了醋酸稀释液是为了降低反应速度。通过优化各种参数,获得了腐蚀速度平缓,适合工业生产的多晶硅绒面,绒面分布均匀。随着反应的进行,腐蚀坑由微裂纹状转变为气泡状,经反射率测定表明绒面达到了较好的减反效果。
郭志球柳锡运沈辉刘正义
关键词:多晶硅
各向同性腐蚀法制备太阳电池用多晶硅片绒面
表面织构化是提高多晶硅太阳电池效率的几个关键技术之一,也是工业化生产中没有得到很好解决的一个问题,找到一种廉价的、工艺简单的,能与现有工艺有机结合的表面织构化方法以提高多晶硅太阳电池的转换效率,是迫切需要解决的问题。本文...
郭志球
关键词:各向同性多晶硅太阳电池多晶硅绒面硅片太阳电池效率湿法化学腐蚀
文献传递
晶体硅电池绒面工艺的研究及中试设备的设计
本文研究了溶液成分、配比、腐蚀温度、腐蚀时间等因素对太阳电池绒面的影响,优化适合于工业化生产、经济有效的单晶硅和多晶硅绒面制备技术.通过SEM和HitachiU-4100分光光度计测试,结果显示制备出的单晶硅和多晶硅太阳...
陶龙忠沈辉郑广富许欣翔郭志球柳锡运
关键词:晶体硅电池太阳电池
文献传递
太阳电池研究进展被引量:50
2006年
晶体硅太阳电池主要朝高效方向发展,薄膜太阳电池特别是多晶硅薄膜太阳电池,由于其廉价,高效,是当前太阳电池研究的热点,也是未来太阳电池发展的方向。分别介绍了第一代、二代太阳电池的发展历程,着重介绍了第三代太阳电池的最新研究进展。
郭志球沈辉刘正义闻立时
关键词:太阳电池晶体硅薄膜太阳电池
共1页<1>
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