陈长春
- 作品数：29 被引量：25H指数：3
- 供职机构：信阳师范学院物理与电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划河南省科技计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术生物学更多>>
- 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统
- 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机...
- 钱佩信刘荣华林惠旺刘志弘陈长春张伟
- 文献传递
- 亚45nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择被引量：2
- 2007年
- 随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。
- 陈长春刘江锋余本海涂有超戴启润
- 关键词：高介电常数材料应变硅金属栅极
- MOCVD制备的氮化铪薄膜结构特性研究被引量：2
- 2010年
- 以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfNx薄膜样品。薄膜结构信息用RBS技术、XRD技术及X射线反射率(XRR)计等来表征。实验结果表明,HfNx薄膜中N与Hf原子组分比为1.15;薄膜为多晶薄膜且沿(111)方向择优生长;薄膜表面平整,与衬底界面粗糙度小。
- 陈长春刘江锋余本海王林
- 关键词：金属有机化学气相沉积卢瑟福背散射X射线衍射技术
- 纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术被引量：2
- 2006年
- 应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍,以期推动应变硅技术在我国芯片业的应用。
- 陈长春刘江锋余本海戴启润刘志弘
- 关键词：应变SICMOS器件
- 超高真空化学气相淀积外延系统的张合式取放片机械手
- 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进...
- 钱佩信梁聚宝林惠旺刘荣华刘志弘陈长春张伟
- 文献传递
- BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)被引量：1
- 2004年
- 在 12 5 m m标准 CMOS工艺线上 ,对标准 CMOS工艺经过一些必要的改动后 ,研制出了多叉指功率 Si GeHBT.该器件的 BVCBO为 2 3V .在较大 IC范围内 ,电流增益均非常稳定 .在直流工作点 IC=4 0 m A ,VCE=8V测得 f T为 7GHz,表现出较大的电流处理能力 .在 B类连续波条件下 ,工作频率为 3GHz时 ,测得输出功率为 31d Bm,Gp 为10 d B,且 PAE为 33.3% .测试结果表明 ,单片成品率达到了 85 % ,意味着该研究结果已达到产业化水平 .
- 熊小义张伟许军刘志宏陈长春黄文韬李希有钟涛钱佩信
- 关键词：SIGEHBTFT
- 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统
- 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；...
- 钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华刘志弘白玉琦陈必贤黄文韬陈长春
- 文献传递
- 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积外延系统
- 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机...
- 钱佩信刘荣华林惠旺刘志弘陈长春张伟
- 文献传递
- SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究被引量：2
- 2005年
- 如何表征SiGe/Si异质外延薄膜中的应变对提升SiGe器件的性能至关重要。本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼(Raman)谱等技术表征SiGe薄膜中应变的原理。通过这些实验技术,研究了SiGe/Si外延薄膜在氧气和惰性气体氛围下高温退火前后应变弛豫及离子注入Si衬底上外延生长的SiGe薄膜应变状态。
- 陈长春余本海刘江峰曹建清朱德彰
- 关键词：硅锗拉曼谱
- Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析被引量：3
- 2004年
- 为了研究失配应变的弛豫机理 ,利用高分辨电子显微镜 (HREM)对超高真空化学气相沉积 (U HVCVD) Si/Si Ge- OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察 .发现此多层结构中存在 6 0°位错和堆垛层错 .结合 Matthews和 Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对 6 0°位错组态的形成和存在原因进行了分析 .在具有帽层结构的 Si1 - x Gex 应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错 ,验证了
- 马通达屠海令邵贝羚陈长春黄文韬
- 关键词：失配位错
