您的位置： 专家智库 > >

霍自强

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 14篇衬底
  • 6篇气相外延
  • 5篇石英
  • 5篇蓝宝
  • 5篇蓝宝石
  • 5篇厚膜
  • 5篇反应管
  • 4篇氢化物气相外...
  • 3篇工作温度
  • 2篇单晶
  • 2篇电器件
  • 2篇氧化亚铜
  • 2篇氧化镓
  • 2篇铜源
  • 2篇气体
  • 2篇自组装
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米球
  • 2篇金属
  • 2篇蓝宝石衬底

机构

  • 16篇中国科学院
  • 1篇四川大学

作者

  • 16篇霍自强
  • 12篇曾一平
  • 12篇王军喜
  • 10篇魏同波
  • 9篇李晋闽
  • 9篇段瑞飞
  • 7篇胡强
  • 6篇羊建坤
  • 6篇李丽娟
  • 2篇杨建坤
  • 2篇尹玉华
  • 2篇张勇辉
  • 1篇卢铁城

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 2篇2018
  • 4篇2016
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 16 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
生长半极性GaN厚膜的方法
本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在...
羊建坤魏同波霍自强张勇辉胡强段瑞飞王军喜
文献传递
氧化物膜的制备方法
一种氧化物膜的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：将氧化物粉末和石墨粉混合，放入反应舟中，反应舟放入石英反应管内；步骤S2：将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤S3：向石英反应管和反应舟内中分别通入惰性...
王晓峰尹玉华李丽娟霍自强王军喜李晋闽曾一平
文献传递
自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
2010年
采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带边发光峰也只有20meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×l07cm-2。这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量。通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放。研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量。
胡强魏同波段瑞飞羊建坤霍自强卢铁城曾一平
关键词：性能研究晶体质量显微镜观察表面应力摇摆曲线位错密度
一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法
本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将铜源放入反应舟内，反应舟放入石英反应管内；步骤2，将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤3，打开铜源气路，让惰性气体通过反应舟进入石英反应...
王晓峰李丽娟霍自强王军喜李晋闽曾一平
文献传递
一种双加热气相外延生长系统
本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上...
胡强魏同波羊建坤霍自强王军喜曾一平李晋闽
文献传递
一种氧化镓薄膜的制备方法
本发明公开了一种氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将镓源放入反应舟内，反应舟放入石英反应管内；步骤2，将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤3，打开镓源气路，让惰性气体通过反应舟进入石英反应管...
王晓峰李丽娟霍自强王军喜李晋闽曾一平
文献传递
在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法
一种在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法，包括以下步骤：步骤1：在C面蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；步骤2：利用常规光刻技术在淀积二氧化硅或氮化硅膜的C面蓝宝石衬底上光刻出沿着[11-20]方向的条形二...
胡强段瑞飞魏同波杨建坤霍自强曾一平
文献传递
气相外延在线清洗装置及方法
本发明公开了一种气相外延(VPE)在线清洗装置，包括：反应腔室，反应气体入口，清洗气体入口，排气口，衬底，衬底托，旋转装置，还包括在线清洗装置，用以去除残留在反应腔室内壁及各部件上造成污染的寄生氮化物。本发明针对VPE生...
段瑞飞霍自强羊建坤魏同波
文献传递
一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法
本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将铜源放入反应舟内，反应舟放入石英反应管内；步骤2，将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，放入石英反应管内；步骤3，打开铜源气路，让惰性气体通过反应舟进入石英反应...
王晓峰李丽娟霍自强王军喜李晋闽曾一平
文献传递
生长半极性GaN厚膜的方法
本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在...
羊建坤魏同波霍自强张勇辉胡强段瑞飞王军喜
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0