马振国
- 作品数：6 被引量：33H指数：4
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 蓝宝石衬底nm级CMP技术研究被引量：10
- 2008年
- 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素,定量确定了最佳CMP工艺。提出先以重抛过程提高蓝宝石抛光速率,然后以轻抛过程降低最终表面粗糙度的工艺路线。在配制抛光液时加入FA/OⅠ型活性剂保护SiO2胶粒的双电子层结构。在轻抛过程之前抛光垫用原液浸泡20～30min,抛光磨料直径为20～40nm。实验最佳工艺条件下的抛光速率达231.6nm/min,粗糙度降至0.34nm。
- 马振国刘玉岭武亚红王立发陈景
- 关键词：蓝宝石化学机械抛光粗糙度
- 镁合金抛光机理与CMP工艺研究被引量：6
- 2008年
- 将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,不利于抛光的进行,因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光。同时分析了镁合金的抛光机理,抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响,利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察,通过合理控制工艺参数,能够得到较佳的镁合金抛光表面,远优于单一的机械加工,为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础。
- 陈景刘玉岭王晓云王立发马振国武亚红
- 关键词：化学机械抛光抛光速率抛光液
- 蓝宝石衬底化学机械抛光的机理研究被引量：6
- 2007年
- 利用磨料为SiO2的碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光，并对蓝宝石衬底化学机械抛光（简称CMP）的机理进行了深入的研究，指出了蓝宝石CMP的主要的动力学过程，并详细分析了影响各动力学过程的诸要素。结果表明，蓝宝石衬底的CMP过程是一个复杂的多相反应过程，是化学作用与机械作用互相加强和促进的过程，影响它的各要素间既相互促进，又相互制约。
- 牛新环刘玉岭檀柏梅马振国
- 关键词：化学机械抛光蓝宝石衬底去除速率动力学过程
- 铝合金CMP技术分析研究被引量：6
- 2007年
- 阐明了金属化学机械抛光的机理,同时介绍了铝合金化学机械抛光过程中存在的问题,并提出采用碱性抛光液进行实验;分析了抛光液、压力、温度、pH值参数、FA/OⅠ型活性剂对LY12铝合金圆薄片抛光过程的影响。实验表明,pH值在10.1～10.3、温度控制在25～30℃、压力0.06 MPa下有利于铝合金表面完美化。在抛光后期采用单一表面活性剂溶液并且无压力自重条件下抛光,可以获得更为理想的合金表面。
- 陈景刘玉岭王立发武亚红马振国
- 关键词：铝合金化学机械抛光表面粗糙度表面活性剂
- 硬盘盘片结构特点及NiP基板CMP研究被引量：2
- 2007年
- 分析了硬盘盘片的结构特点及硬盘基板的作用。在超净实验室中,通过调节氧化剂的含量,对硬盘基板进行了化学机械抛光。分析了不同氧化剂的含量对硬盘基板抛光速率的影响。对抛光后的硬盘基板进行了检测。抛光后的硬盘基板的粗糙度基本达到厂家的要求。对有可能造成硬盘基板划伤的原因进行了分析研究,为下一步解决划伤问题的实验提供了理论依据。
- 王立发刘玉岭陈景武亚红马振国
- 关键词：硬盘化学机械抛光粗糙度
- ULSI铜布线阻挡层Ta CMP及抛光液的研究被引量：4
- 2007年
- ULSI多层铜互连线中,由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异,使得在CMP过程中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷极易发生。研究分析了H2O2、有机碱对Cu和Ta抛光速率的影响,并进行了不同抛光液配比的试验。实验证明,在温度为30℃、压力0.08 MPa,转速60 r/min、抛光液流量为160 mL/min、抛光液成份为V(H2O2)∶V(有机碱)∶V(活性剂)∶V(螯合剂)=5∶15∶15∶25时,抛光速率一致性较好,能够有效降低碟形坑的出现几率;Cu、Ta的抛光速率均为500 nm/min左右,实现了CMP的全局平坦化。
- 武亚红刘玉岭马振国王立发陈景
- 关键词：铜互连线阻挡层抛光液
