丁德宏
- 作品数：9 被引量：22H指数：2
- 供职机构：辽宁大学物理系更多>>
- 发文基金：沈阳市科技局资助项目辽宁省科技厅资助项目浙江省重点科技计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学电子电信机械工程更多>>
- 采用TMAH腐蚀液形成正方形硅杯的粗糙度与腐蚀速率的研究与分析被引量：1
- 2002年
- TMAH是一种新型的、性能优异的各向异性腐蚀液。本文通过大量对比实验对TMAH腐蚀液用于 <10 0 >、<111>单晶Si片不同电阻率、不同晶向的样品研究了粗糙度和腐蚀速率 ,得出重要结论。此研究对正确使用TMAH腐蚀液有重要指导意义。
- 沈桂芬姚朋军丁德宏付世吕品杨春常刘宏俊王振波
- 关键词：TMAH粗糙度腐蚀速率
- 硅压力传感器的非线性的研究
- 本文分析了硅压力传感器的线性与非线性,讨论了非线性产生的原因,并且提出了硅压力传感器的优化设计方法.
- 沈桂芬付世丁德宏姚朋军张宏庆范军
- 关键词：压力传感器非线性线性度内补偿
- 文献传递
- 多孔硅的能带与发光机制的研究与分析
- 2004年
- 在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.
- 丁德宏张宏付世姚朋军范军张宏庆沈桂芬
- 关键词：多孔硅发光机制表面态光致发光
- 多孔硅的能带变化及光致发光的研究
- 2004年
- 多孔硅与硅材料相比,有明显的可见光致发光特性,其原理可用量子限制模型给予解释。文章通过对多孔硅的光致发光、光电子辐射、光电效应和X光吸收方面的实验的讨论,研究了退火对多孔硅导带和价带边缘的量子漂移的影响。对于大多数多孔硅,过高的退火温度可造成多孔硅的导带和价带边缘的量子漂移的改变。
- 沈桂芬范军张宏庆付世丁德宏姚朋军
- 关键词：多孔硅退火
- 硅压力传感器的非线性分析及优化设计被引量：6
- 2003年
- 分析了硅压力传感器的线性与非线性 ,讨论了非线性产生的原因 。
- 沈桂芬付世丁德宏姚朋军张宏庆范军吕品
- 关键词：压力传感器非线性线性度内补偿
- 多孔硅形成机理研究的新进展被引量：2
- 2003年
- 更深入地分析了多孔硅形成的几种模型 ,对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点 ,描述了多孔硅的形成过程的一些特性 。
- 付世丁德宏姚朋军单新华沈桂芬
- 关键词：多孔硅晶向散射孔隙度半导体材料
- 基于verilog hdl技术的uart设计
- 随着集成电路的性能的提高、门数的增长、通用性和可移植性(复用)的要求,对设计方法也不断提出了新的要求.传统的电路原理图输入的方法已不再适用中、大规模的电路设计,这种方法直接将设计的系统用原理图方式表示出来,具有直观、形象...
- 丁德宏
- 关键词：专用集成电路HDL语言自顶向下设计
- 文献传递网络资源链接
- 微机电系统的研究与分析被引量：11
- 2004年
- 详细介绍了微机械电子系统的内涵。内容包括微型传感器、微型执行器等研究领域 .还介绍了微机械电子系统加工工艺 ,阐明了其涉及的科学技术问题 ,对信息MEMS用途及发展趋势做了较详尽的讨论。
- 沈桂芬张宏庆韩宇范军付世丁德宏姚朋军
- 关键词：微机电系统微型传感器MEMS
- 一种16位存储器版图的验证与参数提取被引量：2
- 2004年
- 随着集成电路的发展,存储器在IC(IntegratedCircuit)即"集成电路"中地位越来越突出.阐述了对一种16位存储器版图设计中的DRC(DesignRuleChecking)即"设计规则检查"和LVS(LayoutVersusSchematic)即"版图和电路比较"、以及RC寄生参数的提取.
- 张宏庆张宏范军丁德宏付世沈桂芬
- 关键词：DRCLVS寄生参数
