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于海霞

作品数：7 被引量：6H指数：2
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇砷化镓
  • 4篇光导
  • 4篇光导开关
  • 2篇化学镀
  • 2篇半绝缘
  • 2篇材料特性
  • 2篇GAAS
  • 1篇电离
  • 1篇电离率
  • 1篇镀铜
  • 1篇温度关系
  • 1篇化学沉积法
  • 1篇化学镀铜
  • 1篇化学方法
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇功率
  • 1篇费米能级
  • 1篇SI
  • 1篇SICU

机构

  • 7篇河北工业大学

作者

  • 7篇于海霞
  • 6篇杨瑞霞
  • 4篇付浚
  • 2篇张富强
  • 1篇袁炳辉
  • 1篇王林海
  • 1篇于明

传媒

  • 3篇河北工业大学...
  • 2篇半导体杂志

年份

  • 1篇2001
  • 4篇2000
  • 2篇1999
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaAs;Si;Cu光控半导体开关基体材料特性的研究
光控半导体开关在高功率通信系统、脉冲功率储能系统、雷达、微波通讯 等许多领域具有广阔的应用前景。光控半导体开关就是通过两束不同波长的光 脉冲使光电导率增加和减小，对开关而言，即...
于海霞
文献传递
功率光导开头砷化镓基体材料特性的研究
付浚杨瑞霞袁炳辉王林海于海霞
该项目提出了用化学镀在GaAs表面制备Cu膜的工艺，利用自催化效应、络合剂的作用和镀Cu过程中Cu的还原反应对镀液酸碱度敏感的特性，解决了镀Cu过程中使Cu沉积只发生在GaAs表面、防止相关化学反应中非Cu沉积物在GaA...
关键词：
关键词：砷化镓光导开关
杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响
2000年
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,存在电势波动的情况下 ,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。
杨瑞霞付浚于明于海霞张富强
关键词：砷化镓
未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系被引量：2
1999年
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与标准ＬＥＣＳＩＧａＡｓ样品有明显差别．这种差别可能是由于样品中存在杂质和缺陷不均匀分布引起的长程势波动．
贾晓华杨瑞霞于海霞张富强
关键词：EL2费米能级砷化镓半绝缘电离率
化学方法实现GaAs表面Cu的沉积被引量：1
2000年
用一种简单的化学方法在ＬＥＣ　ＧａＡｓ晶体表面实现了Ｃｕ的沉积，沉积的Ｃｕ层均匀性、牢固性良好，厚度达到无限源扩散的要求．本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺，并对化学镀铜的机理进行了讨论。
于海霞付浚杨瑞霞袁炳辉
关键词：砷化镓化学方法化学镀铜化学沉积法
GaAs∶SiCu光导开关的计算机模拟
2000年
对掺Si补偿Cu的GaAs（GaAs∶Si∶Cu）材料的光控开关特性进行了计算机模拟，结果表明Cu与Si的浓度比（NCu/NSi）和激光通量是影响开关特性的两个重要因素，NCu／NSi越大，电导淬灭时间越短；光通量越大，导通态电导率越大，开关闭合、断开时间越短．并分析了上述现象的产生机理．
于海霞杨瑞霞付浚
关键词：光导开关砷化镓计算机模拟硅
砷化镓光控半导体开关被引量：3
1999年
光控半导体开关在脉冲功率等方面具有广泛的应用前景，越来越受到人们的重视。本文对光控半导体开关进行了简要介绍，包括ＧａＡｓ∶Ｓｉ∶Ｃｕ开关的原理和应用；ＧａＡｓ∶Ｓｉ∶Ｃｕ基本材料的制备；开关过程中的锁定现象及其机理；以及设计和实验中的几个问题。
于海霞杨瑞霞付浚
关键词：光导开关砷化镓
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