冒昌银
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 用于UHF RFID零中频接收机的混频器设计
- 2013年
- 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超高频(UHF)射频识别(RFID)系统零中频接收机的混频器。在对传统吉尔伯特混频器的噪声指标进行深刻分析的基础上,采用动态电流注入技术,设计出了一种低噪声、高线性度的混频器。动态注入电路有选择地向跨导级注入适当电流,大大抑制了开关管中的闪烁噪声,从而提高了混频器的整体噪声性能,同时又不影响混频器的线性度。在1.8 V电源电压下,仿真显示,该混频器取得11.3dB的噪声系数、-5.58 dBm的输入1 dB压缩点、26.04 dB的转换增益。芯片仅消耗7.2 mW功耗,占用404μm*506μm芯片面积。
- 冒昌银张长春陈德媛郭宇锋方玉明李卫
- 关键词：零中频接收机混频器增益线性度
- 退火温度对硅/氧化硅多层膜微结构的影响
- 2012年
- 采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了非晶硅/二氧化硅多层膜结构。对多层膜结构进行不同温度下热退火后处理,通过傅里叶变化红外吸收光谱和拉曼散射光谱对其微结构的变化进行了表征。结果表明,原始淀积的多层膜结构中,存在大量的氢原子,以硅氢键和硅键合;随着退火温度从450℃升高到650℃,光谱中与硅氢键相关的信号逐渐减弱,说明氢原子不断解离;另一方面,硅氧键弯曲振动模式随着退火温度升高而增强;硅氧键的伸缩振动模式位置蓝移、强度增强,说明硅氧之间的配比随着退火温度升高不断接近化学配比;通过拉曼散射谱可以观测到非晶硅在高温下发生相变,形成纳米硅晶粒。
- 陈德媛冒昌银
- 关键词：拉曼散射退火
- 衬底掺杂浓度对p-i-n结构电致发光的增强作用被引量：1
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了以非晶硅/二氧化硅多层膜结构为本征i层、分别以磷和硼掺杂的非晶硅作为n型和p型区的p-i-n结构。经过三步后退火处理,i层晶化得到纳米硅/二氧化硅多层膜结构,磷和硼掺杂的非晶硅结晶形成多晶硅结构。衬底采用轻和重掺杂两种不同浓度的p型单晶硅。重掺杂衬底上的p-i-n结构的电致发光特性比轻掺杂的具有更低的开启电压和更高的发光强度和效率。根据载流子的输运机制分析,重掺杂的p+硅衬底一方面有效的降低了载流子的隧穿势垒,提高了载流子的有效注入效率,进而提高了电致发光强度和效率;另一方面,重掺杂衬底也降低了器件的总串联电阻,是器件开启电压降低的主要原因。
- 陈德媛冒昌银刘宇孙红程
- 关键词：电致发光开启电压串联电阻
- UHF RFID零中频接收机混频器和压控振荡器的研究与设计
- 超高频射频识别系统具有识别距离远、通信速度快、信息容量大、尺寸小等特点，因此得到了各个领域的广泛研究与关注。混频器（Mixer）、压控振荡器（VCO）以及二分频器是UHF RFID接收机中三个关键的射频模块，其设计具有很...
- 冒昌银
- 关键词：压控振荡器电路设计
- 文献传递
