冯武昌
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：深圳大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术电气工程冶金工程更多>>
- Mg_xZn_(1-x)O陶瓷靶材的制备被引量：2
- 2014年
- 采用传统的常压固相烧结方法制备了MgZnO陶瓷靶材,研究了MgO掺杂量及烧结温度对MgZnO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、力学性能和致密度的影响。通过XRD测定靶材相结构,SEM观察靶材的断面形貌,万能实验机测量靶材的抗弯强度,维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度,阿基米德排水法测量靶材密度等方法对MgZnO靶材的性能进行了分析表征。结果表明,当掺杂量为12%、烧结温度为1 450℃时所制备的陶瓷靶材最优,其各项性能均表现良好,抗弯强度为94.56MPa,维氏硬度为250.70HV0.3,相对密度为96.65%,并在最佳条件下制备出MgO摩尔掺杂比为12%的MgZnO陶瓷靶材,采用射频磁控溅射方法,于室温条件下在石英衬底上制备了MgZnO透明薄膜,利用XRD、紫外可见分光光度计等测试手段,测量薄膜的结晶性能、光学性能,制备出的薄膜结晶性能良好,薄膜在可见光区域具有较高的透过率,平均都超过80%,适用于TFT的有源层。
- 高庆庆冯武昌张忠健肖超皮陈炳蔡雪贤尚福亮杨海涛
- 关键词：ZNO透明导电薄膜
- 制备工艺以及退火处理对ZnO-TFT性能的影响
- Zn O基薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)因其适合低温生长、具有较高迁移率和透明性等特点,很大可能取代传统的硅基TFT成为下一代显示背板技术的主流。利用射频磁控溅射法在室温下制备Zn O薄膜...
- 冯武昌
- 关键词：射频磁控溅射退火
- 文献传递
- 退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响（英文）被引量：2
- 2019年
- 为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光等技术对ZnO-TFT进行表征。实验结果表明,具有400℃退火温度的ZnO-TFT表现出最佳性能,迁移率为2.7cm^2/Vs,阈值电压为4.6V,开/关电流比为5×10^5,亚阈值摆幅为0.98V/Dec。电性能的改善可归因于载流子浓度的降低,ZnO膜结晶的增强,以及氧化物半导体层和绝缘层之间界面的改善。
- 覃金牛温喜章冯武昌许望颖朱德亮曹培江柳文军韩舜刘新科方明曾玉祥吕有明
- 关键词：ZNO薄膜晶体管退火温度迁移率
