刘文宝
- 作品数：17 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>
- 氮化镓基多波段探测器及其制作方法
- 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面...
- 刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
- 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法
- 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺...
- 刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军王辉杨辉
- 高性能GaN基雪崩光电二极管研究
- 光电子器件的漏电对其性能、稳定性、功耗等方面有着十分重要的影响。寻找漏电流的起源并采取相应的措施加以控制对研制高性能光电子器件具有十分重要的意义。本文从研制高性能雪崩探测器的目标出发，对GaN基光电二极管的漏电机理进行了...
- 刘文宝
- 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
- 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝...
- 刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
- 文献传递
- 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析被引量：3
- 2007年
- 制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010cm-2.
- 刘宗顺赵德刚朱建军张书明段俐宏王海史永生刘文宝张爽江德生杨辉
- 关键词：肖特基势垒紫外探测器开路电压表面态
- GaN基金属-半导体-金属探测器
- 2007年
- 采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流减小,小电压下出现电流反向,经白光照射后能够恢复.光谱响应测量中发现带隙内368nm处有光电导性质的异常峰值响应,808nm的激光对其有明显的淬灭作用,并根据陷阱模型对这些现象做出了解释.
- 刘文宝孙苋王小兰张爽刘宗顺赵德刚杨辉
- 关键词：GAN暗电流光谱响应
- GaN基金属-半导体-金属探测器
- 在非故意掺杂的GaN外延层上制作了MSM结构的探测器.对暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流发生变化.光谱响应测量中发现带隙内的异常峰值响应现象.根据陷阱模型对它们做出了解释.
- 刘文宝赵德刚刘宗顺杨辉
- 关键词：MSM结构探测器光谱响应淬灭
- 文献传递
- 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
- 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝...
- 刘文宝孙苋赵德刚刘宗顺张书明朱建军杨辉
- 文献传递
- Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较
- 本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...
- 张爽杨辉赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏刘文宝孙苋江德生
- 关键词：紫外探测器光谱响应特性
- 文献传递
- 高阻氮化镓外延层的异常光吸收
- 2010年
- 通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响应显示了区域不一致性.20V偏压下反向偏置结处的光谱响应比正向偏置结处的光谱响应大一个数量级左右,峰值响应的位置也发生明显红移现象,红移的能量约为28meV,并且几乎不随环境温度变化.根据MSM结构的电场分布不均以及带边和激子响应对电场的依赖性不同,MSM型探测器的这种区域响应不一致性可以得到很好的解释.
- 刘文宝赵德刚江德生刘宗顺朱建军张书明杨辉
- 关键词：GAN激子光谱响应
