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唐磊

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电损耗
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇介电
  • 1篇介电损耗
  • 1篇BI
  • 1篇BI4TI3...

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇顾骏
  • 1篇吴晓波
  • 1篇唐磊
  • 1篇陈爱平
  • 1篇李伟

传媒

  • 1篇周口师范学院...

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高价B位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的铁电性能研究被引量：2
2004年
用传统的固相反应方法制备了高价V掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷样品,用X射线衍射对其结构进行了分析,并测量了样品的铁电和介电性能.结果发现,随着V的掺入,由氧空位引起的样品介电损耗峰的峰高被极大压制.氧空位的减少,使得样品中的畴钉扎效应减弱,从而提高了样品的抗疲劳特性和剩余极化.同时V的掺入,降低了材料的居里温度.
吴晓波陈爱平顾骏唐磊李伟
关键词：介电损耗BI4TI3O12铁电性陶瓷材料
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