孙凤云
- 作品数：7 被引量：19H指数：2
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法，其组分和含量为LaMnO<Sub>3</Sub>基础上添加10－70mol％TiO<Sub>2</Sub>，同时添加0－60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元...
- 马卫兵孙凤云孙清池
- 文献传递
- 制备多孔硅基底氧化钨纳米薄膜气敏传感器的方法
- 本发明公开了一种制备多孔硅基底WO<Sub>3</Sub>纳米薄膜气敏传感器的方法，步骤为：(1)制备多孔硅层基底；(2)制备多孔硅基底WO<Sub>3</Sub>纳米薄膜；(3)将制得的多孔硅基底WO<Sub>3</S...
- 胡明孙凤云孙鹏张洁陈涛
- 文献传递
- 多孔硅的I-V特性及NO_2气敏特性研究被引量：8
- 2009年
- 采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min。
- 孙凤云胡明孙鹏陈鹏刘博
- 关键词：多孔硅孔隙率Ⅰ-Ⅴ特性
- 介孔硅基WO_3纳米颗粒薄膜室温气敏元件特性(英文)被引量：2
- 2010年
- 采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅片表面制备介孔硅层(meso-PSlayer),然后用对向靶磁控反应溅射法在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜,在干燥空气中于400℃下保温4h进行退火热处理,制备出介孔硅基WO3纳米颗粒薄膜(WO3-PS)室温气敏元件.利用扫描电子显微镜(SEM)分析介孔硅层及WO3-PS的表面形貌,通过X射线衍射(XRD)研究WO3的结晶状态,测试WO3-PS气敏元件在室温下对NO2、NH3的气敏性能,并探讨了WO3-PS气敏元件的工作机理.实验结果表明,在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜可使介孔硅的气敏性能显著提高,其中在室温下对10×10-6NO2的灵敏度由5提高至56,大大提高了介孔硅的灵敏度,并降低了其响应/恢复时间,提高了对NO2的选择性.
- 孙凤云胡明孙鹏刘博张洁
- 关键词：WO3室温气敏特性
- 多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究被引量：9
- 2009年
- 以P＋型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅（Porous Silicon）,介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性。结果表明：随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2（体积分数为0.1×10^-5 - 6×10^-5）具有优异的敏感特性和响应特性。
- 李东海胡明孙凤云陈鹏孙鹏
- 关键词：NO2气体传感器多孔硅灵敏度孔隙率
- 掺杂LaMnO<,3>系NTC材料的研究
- 锰酸镧(LaMnO3)在室温(25℃)至300℃范围内具有负阻温特性，可用于制备负温度系数热敏电阻(NTCR)。本论文通过在LaMnO3的基础上掺杂Fe、Ni、V、Ti、Ba、Sr、Cu等进行A，B位取代，以调整材料的室...
- 孙凤云
- 关键词：热敏电阻
- 文献传递
- 金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性被引量：1
- 2011年
- 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成金属电极,制备出M/PS/Si微结构.利用SEM分析多孔硅的表面形貌,通过测试其I-V特性分析M/PS/Si微结构的电学特性.结果表明由Pt做电极形成的M/PS/Si结构,表现出非整流特性.M/PS/Si结构的I-V曲线由线性区和非线性区组成,多孔硅孔隙率越高的M/PS/Si结构的I-V特性曲线线性区越宽.由Cu做电极形成的M/PS/Si结构,表现出整流特性.其整流比随多孔硅孔隙率增加而减小.
- 孙鹏胡明刘博孙凤云许路加
- 关键词：I-V特性
