崔娜娜
- 作品数:6 被引量:14H指数:2
- 供职机构:郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- MPCVD多晶金刚石薄膜的生长特性研究
- 2010年
- 本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜,反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜(SEM)和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明:随着CH4流量的增加,金刚石的成核密度增加,并出现二次形核,金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为:生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层,金刚石在非晶碳层上成核长大,并伴随着二次成核,最终形成多晶金刚石膜。
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- 关键词:MPCVDRAMAN光谱
- 用作OLED场发射阴极的金刚石薄膜的制备
- 有机电致发光器件因其诸多优点,成为近几年研究的热点,并有望成为下一代显示器的主角。但其在实际应用中还是存在一些问题,如效率问题、稳定问题和寿命问题,这三大问题强烈制约着有机电致发光器件的实用化进程。本课题主要是针对电子注...
- 崔娜娜
- 关键词:金刚石薄膜气相沉积电致发光薄膜光学
- 纳米片状金刚石膜的制备和生长过程
- 本文用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在镀钛的单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。反应气体为CH4和H2,其流量比为CH4:H2=30:30sccm,微波功率为1800 w,反应气压为10kPa。利用扫描电镜(SEM...
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- 关键词:单晶硅
- 纳米片状金刚石膜的生长过程被引量:2
- 2011年
- 采用微波等离子化学气相沉积系统(MPCVD)在镀钛的单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。反应气体为CH4和H2,其流量比为1∶1,微波功率为1 800 W,反应气压为10 kPa。利用扫描电镜(SEM)和Raman光谱分析薄膜的形貌和碳结构。结果表明,纳米金刚石薄膜呈现片状的组织特征,其生长过程为:生长初期在单晶硅衬底上形成由纳米碳颗粒组成的球状碳团簇;随着沉积时间的增加,碳团簇逐渐增大,纳米碳颗粒定向排列或自组装,最终形成片状纳米金刚石膜。
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- 能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜及其特性研究被引量:7
- 2011年
- 采用磁控溅射(DMS)和能量过滤磁控溅射(EFDMS)技术在玻璃衬底上制备ITO透明导电薄膜。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻仪、椭偏光谱仪等对薄膜的性能进行表征和分析,初步探讨了EFDMS技术的成膜机理。研究发现与DMS技术相比,EFDMS技术可有效降低薄膜的表面粗糙度,并且薄膜光电性能有一定改善。
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- 关键词:ITO薄膜光电性能表面粗糙度磁控溅射
- Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响被引量:4
- 2011年
- 采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。
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- 关键词:掺铝氧化锌缓冲层AL2O3有机电致发光器件