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文献类型

  • 12篇中文专利

主题

  • 7篇元胞
  • 5篇电流
  • 5篇双极晶体管
  • 5篇晶体管
  • 5篇绝缘栅
  • 5篇绝缘栅双极晶...
  • 4篇闩锁
  • 4篇版图
  • 3篇电阻
  • 3篇栅极
  • 3篇终端区
  • 3篇沟道
  • 3篇IGBT
  • 3篇槽栅
  • 2篇电流密度
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇栅极电压
  • 2篇漂移
  • 2篇漂移区

机构

  • 12篇中国科学院微...
  • 2篇江苏物联网研...
  • 2篇江苏中科君芯...

作者

  • 12篇左小珍
  • 10篇卢烁今
  • 10篇赵佳
  • 10篇朱阳军
  • 7篇孙宝刚
  • 6篇吴振兴
  • 4篇田晓丽
  • 2篇陆江

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法,该方法包括:提供基底,所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区;在所述阱区内形成掺杂区,所述掺杂区的横向宽度未深入到...
孙宝刚吴振兴朱阳军卢烁今赵佳田晓丽左小珍
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绝缘栅双极晶体管
本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管,所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型所提供的绝缘栅双极晶体管,由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状,因此,单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞...
赵佳朱阳军孙宝刚卢烁今左小珍
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绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括:采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区;在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区,所述基区位于所述沟槽栅区的两侧,且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
孙宝刚左小珍朱阳军卢烁今吴振兴赵佳
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绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括:采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区;在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区,所述基区位于所述沟槽栅区的两侧,且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
孙宝刚左小珍朱阳军卢烁今吴振兴赵佳
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沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括:漂移区;位于漂移区正面内的有效基区;位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅;其中,所述沟槽栅包括:与有效基区相邻的有效沟槽栅和...
赵佳朱阳军卢烁今孙宝刚左小珍
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沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括:漂移区;位于漂移区正面内的有效基区;位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅;其中,所述沟槽栅包括:与有效基区相邻的有效沟槽栅和...
赵佳朱阳军卢烁今孙宝刚左小珍
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一种IGBT版图
本实用新型公开一种IGBT版图,属于半导体大功率器件的技术领域。该版图元胞区、源极压焊点、栅极压焊点和多晶硅,源极压焊点位于元胞区上,元胞区由多个元胞排列并联组成,元胞的栅极通过多晶硅相连,并将栅极的电位引出至栅极压焊点...
左小珍朱阳军吴振兴卢烁今
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IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法,该方法包括:提供基底,所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区;在所述阱区内形成掺杂区,所述掺杂区的横向宽度未深入到...
孙宝刚吴振兴朱阳军卢烁今赵佳田晓丽左小珍
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一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图
本发明公开了一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图,属于半导体技术领域,该大电流IGBT版图包括元胞区、终端区、Gatebus、源极压焊点、栅极压焊点,终端区位于元胞区的周围,源极压焊点位于元胞区上,栅极压焊点位于源极...
左小珍朱阳军赵佳卢烁今田晓丽陆江吴振兴
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一种沟槽型IGBT版图结构
本实用新型公开了一种沟槽型IGBT版图结构,属于半导体功率器件的技术领域。该结构包括有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞排列均互相垂直,所述元胞的栅极通过多晶硅连接。本实用新型由于四个不同区域内元胞的排列方向不同,即相...
左小珍朱阳军赵佳田晓丽
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共2页<12>
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