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左小珍
作品数:
12
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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合作作者
朱阳军
中国科学院微电子研究所
赵佳
中国科学院微电子研究所
卢烁今
中国科学院微电子研究所
孙宝刚
中国科学院微电子研究所
吴振兴
中国科学院微电子研究所
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作者
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左小珍
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卢烁今
10篇
赵佳
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朱阳军
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孙宝刚
6篇
吴振兴
4篇
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陆江
年份
1篇
2017
3篇
2015
1篇
2014
4篇
2013
3篇
2012
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IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法,该方法包括:提供基底,所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区;在所述阱区内形成掺杂区,所述掺杂区的横向宽度未深入到...
孙宝刚
吴振兴
朱阳军
卢烁今
赵佳
田晓丽
左小珍
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绝缘栅双极晶体管
本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管,所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型所提供的绝缘栅双极晶体管,由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状,因此,单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞...
赵佳
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绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括:采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区;在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区,所述基区位于所述沟槽栅区的两侧,且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
孙宝刚
左小珍
朱阳军
卢烁今
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绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括:采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区;在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区,所述基区位于所述沟槽栅区的两侧,且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
孙宝刚
左小珍
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沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括:漂移区;位于漂移区正面内的有效基区;位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅;其中,所述沟槽栅包括:与有效基区相邻的有效沟槽栅和...
赵佳
朱阳军
卢烁今
孙宝刚
左小珍
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沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括:漂移区;位于漂移区正面内的有效基区;位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅;其中,所述沟槽栅包括:与有效基区相邻的有效沟槽栅和...
赵佳
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一种IGBT版图
本实用新型公开一种IGBT版图,属于半导体大功率器件的技术领域。该版图元胞区、源极压焊点、栅极压焊点和多晶硅,源极压焊点位于元胞区上,元胞区由多个元胞排列并联组成,元胞的栅极通过多晶硅相连,并将栅极的电位引出至栅极压焊点...
左小珍
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IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法,该方法包括:提供基底,所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区;在所述阱区内形成掺杂区,所述掺杂区的横向宽度未深入到...
孙宝刚
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朱阳军
卢烁今
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一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图
本发明公开了一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图,属于半导体技术领域,该大电流IGBT版图包括元胞区、终端区、Gatebus、源极压焊点、栅极压焊点,终端区位于元胞区的周围,源极压焊点位于元胞区上,栅极压焊点位于源极...
左小珍
朱阳军
赵佳
卢烁今
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一种沟槽型IGBT版图结构
本实用新型公开了一种沟槽型IGBT版图结构,属于半导体功率器件的技术领域。该结构包括有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞排列均互相垂直,所述元胞的栅极通过多晶硅连接。本实用新型由于四个不同区域内元胞的排列方向不同,即相...
左小珍
朱阳军
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