康慧
- 作品数：81 被引量：308H指数：10
- 供职机构：北京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺航空宇航科学技术一般工业技术电子电信更多>>
- Al-Si-Cu-Ni低熔点钎料中合金元素含量对接头强度的影响被引量：4
- 2003年
- 以Cu、Ni作为主要的添加元素 ,通过正交试验的方法研究了合金元素Cu、Ni、Si对接头剪切强度的影响。同时 ,利用扫描电镜对各钎料的显微组织进行了分析。研究结果表明 ,对剪切强度的影响程度由Si、Ni到Cu依次减弱 ,且随着合金元素Si、Ni、Cu含量的增大 ,其接头剪切强度先增大后降低。
- 朱颖于文花康慧曲平胡刚
- 关键词：合金元素铝基钎料真空钎焊
- 一种新型车载激光冲击强化装置
- 本发明公开了一种新型车载激光冲击强化装置，包括汽车、水箱、操控系统、机械手臂、喷嘴、视觉传感器、光路系统、激光器、电源、转台、工作台；转台安装在工作台上，转台能够绕Z轴转动，工作台为三自由度工作台，能够实现X、Y、Z轴的...
- 郭伟黄帅朱颖康慧曲平
- 文献传递
- 银纳米材料的纳连接及其电学性能研究被引量：1
- 2021年
- 随着微电子器件需求日益迫切,由纳米材料构造的微纳结构在降低尺度并获得特征性能上有着极大的优势。纳连接是从纳米材料构筑微纳结构的有效途径,目前实现纳连接的手段主要包括热烧结、激光烧结等。对比研究了不同连接方法形成的银电极的电学性能及微观结构,并对银纳米材料间的连接机理进行了分析。结果表明,相比于自连接及热烧结,激光烧结在降低电阻率及保持纳米结构方面有着独特的优势,在激光诱导下,银纳米带可在低温下实现互连,形成交联网络结构,从而降低银电极的电阻率,并显著改善其柔韧性。激光烧结电极的电阻率低至1.88×10^(-7)Ω·m,同时具有较好连接强度,经3000次弯折后电阻变化率仅为21.26%。
- 王欣达廖嘉宁姚煜郭伟康慧彭鹏
- 关键词：激光制造激光烧结银电极
- 钴对钛基钎料钎焊Ti3Al的影响被引量：1
- 2008年
- 研究了Co的添加对Ti-Zr-Ni-Cu钎料的性能,以及对Ti3Al基合金钎焊接头的显微组织和机械性能的影响。研究结果表明:采用添加Co的钎料,具有良好的润湿性和流动性,可显著提高钎焊接头的拉伸强度。
- 李能朱颖曲平康慧
- 关键词：TI3AL真空钎焊钛基钎料
- TC4钛合金真空钎焊的研究被引量：12
- 2004年
- 用钛基钎料钎焊的钛合金焊接接头强度较高,因而具有一定的应用前景。本课题采用Ti-Zr-Cu-Ni钎料并加入适当的合金元素,成功地应用于TC4合金的钎焊,钎缝成形良好,提高了焊接接头的性能。
- 吴欣康慧朱颖曲平
- 关键词：钎料真空钎焊焊接接头TC4钛合金TC4合金合金元素
- 铝波导天线真空钎焊被引量：2
- 1995年
- 多卜勒雷达天线精度要求高、结构复杂，从而进行多级真空钎焊，并采用了真空补焊新工艺，使真空钎焊锡波导天线有了可靠的质量保证．
- 康慧
- 关键词：真空钎焊波导天线雷达天线钎焊质量钎料钎焊温度
- Al-Ti异种合金真空钎焊的研究被引量：24
- 2001年
- 在结合界面上生成层状的脆而硬的金属间化合物 (Ti Al3,Ti Al和 Ti3Al)是 Al- Ti异种合金焊接所存在的主要问题。本工作基于国内外研究成果和相关资料 ,利用正交设计原理 ,以 Al- 11.5 Si近共晶合金为基 ,通过添加元素Sn和 Ga形成 9种钎料 ,并利用各新钎料对 Al合金和 Ti合金进行了真空钎焊。通过进行剪切强度试验和铺展性试验 ,对该 9种钎料进行评定。试验结果表明 :含 10 % Sn、 0 .2 0 % Ga的 Al- 11.5 Si铝基钎料铺展性和抗剪强度等方面都具有较好的性能 ,使 Al- Ti异种合金构件达到较好的机械性能。
- 赵鹏飞康慧等
- 关键词：钛合金真空钎焊正交试验钎料
- Sn-Zn-Ag-Bi无铅钎料的成分设计
- 为改善Sn-Zn钎料的润湿性和耐蚀性,本文在Sn-Zn钎料中同时添加Ag、Bi两种元素.通过正交实验研究钎料成分变化时钎料的润湿性、腐蚀率以及钎焊接头剪切强度的变化规律.在对实验结果进行综合分析的基础上,给出了最佳钎料成...
- 朱颖吴松康慧曲平
- 关键词：无铅钎料润湿性耐蚀性
- 文献传递
- 微米银焊点的超快激光图形化沉积及其在芯片连接中的应用探索被引量：1
- 2022年
- 集成电路(IC)芯片封装中小尺寸、细节距焊点采用的传统锡基钎料在服役过程中存在桥接、电迁移、金属间化合物等问题,在大电流、大功率密度的应用中受到限制。采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在覆铜陶瓷(DBC)基板上图形化沉积了多孔微米银焊点,用于替代传统的钎料凸点,并将其应用于Si芯片与DBC基板的连接。结果表明:采用不锈钢作为掩模,可沉积出500μm及300μm特征尺寸的疏松多孔银焊点阵列,银焊点呈圆台形貌;在250℃温度、2 MPa压力下热压烧结10 min, Si芯片与DBC基板连接良好,连接后的银焊点边缘的孔隙率为42%左右,银焊点中心区域的孔隙率为22%;500μm和300μm特征尺寸的银焊点的连接接头的剪切强度分别为14 MPa和12 MPa;接头断裂主要发生在银焊点与芯片或DBC基板的连接界面处。
- 吴永超胡锦涛郭伟刘磊康慧彭鹏
- 关键词：脉冲激光沉积热压烧结
- 一种处理吸收保护膜的系统
- 本发明涉及一种处理吸收保护膜的系统。该系统包括贴膜装置，贴膜装置包括第一车体，承载第一车体的第一行走机构，设置在第一车体上的吸收保护膜供给机构，以及与第一车体相连的且设置在第一车体后方的碾轮机构，其中，第一行走机构用于驱...
- 朱颖黄帅郭伟康慧曲平
- 文献传递
