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张自兵

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院力学研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 1篇动力学模型
  • 1篇数值模拟
  • 1篇碳化硅
  • 1篇浓度场
  • 1篇力学模型
  • 1篇流场
  • 1篇流体力学
  • 1篇SIC
  • 1篇值模拟

机构

  • 2篇中国科学院力...

作者

  • 2篇陈启生
  • 2篇张自兵
  • 2篇卢靖
  • 1篇高鹏
  • 1篇李保林
  • 1篇钟兴儒

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiC晶体生长中的流场与浓度场数值模拟
<正> 碳化硅单晶(SiC)是广泛应用于大功率、高频率等电子元器件的第3代半导体材料,其生长机理与制备工艺是当前国内外学术研究的热点。大块碳化硅单晶主要采用物理气相输运法(PVT)进行制备,由于实验观测手段的限制,模型化...
卢靖张自兵陈启生
文献传递
流动/动力学模型在碳化硅晶体生长中的应用
陈启生钟兴儒李保林张自兵卢靖高鹏
该研究根据二维流动/动力学模型理论，模拟了两英寸碳化硅生长系统中的磁场、温度场、流场及浓度场，研究了感应加热频率对温度分布及生长速率的影响，预测了生长速度及晶体界面形状随轴向温度梯度及惰性气体压力的函数关系，给出了不同气...
关键词：
关键词：流体力学碳化硅晶体生长
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共1页<1>
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