张锡健
- 作品数：30 被引量：138H指数：6
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- 采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长β-Ga2O3薄膜
- 采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上直接沉积β-Ga2O3薄膜。通过X射线衍射光谱(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶红外吸收光谱(FT-IR) 研究了β-Ga2O3薄膜的生长和结构与退火温度之间的关系。实验结...
- 肖洪地马洪磊杨光马瑾林兆军宗福建张锡健栾彩娜
- 关键词：射频磁控溅射温度
- 文献传递
- 退火对FeZrBNb薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响
- 2009年
- 用射频溅射法制备了FeZrBNb软磁合金薄膜,研究了不同退火方式对薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响。结果表明,退火能改善薄膜的软磁性能,使其矫顽力由0.5kA.m-1降到了0.09kA.m-1,横向和纵向有效磁导率都有所提高。退火也能明显提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,加磁场退火的薄膜样品在13MHz下纵向和横向最大巨磁阻抗比分别为2.6%和1.7%。
- 袁慧敏王文静张锡健
- 关键词：铁基合金巨磁阻抗效应掺杂
- 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
- 2004年
- 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：AFMXRD退火
- 退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2006年
- 用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：射频磁控溅射退火
- 一种刀具表面涂层的制备方法及制备得到的涂层
- 本发明公开了一种刀具表面涂层的制备方法及制备得到的涂层，1)对刀具的表面进行清洁；2)在刀具的表面溅射CrN涂层，靶材为CrN合金；3)在溅射有CrN涂层的刀具表面溅射CrAlSiN涂层，靶材为CrAlSiN合金，溅射环...
- 张磊周洋张锡健
- 文献传递
- 薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响被引量：43
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。薄膜的最低电阻率为 3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。
- 余旭浒马瑾计峰王玉恒张锡健程传福马洪磊
- 关键词：磁控溅射ZNO:GA薄膜厚度光电性质
- 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
- 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84薄膜。用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0.84O薄膜的结构、表...
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰
- 关键词：AFMXRD退火
- 文献传递
- 二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置
- 二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置，属于微细加工工艺装置领域。装置由绝缘衬底、列电极、介质层、公共电极与扫描电极组成；在绝缘衬底设置平行的列电极，列电极上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设置公共电极与扫描电极，公共电极与扫...
- 孟令国邢建平蒋然张锡健
- 文献传递
- 溅射法生长Mg_xZn_(1-x_O薄膜的结构和光学特性被引量：2
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了MgxZn1-xO薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有(002)方向择优取向;随氧分压增加,(002)衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小。室温光致发光谱中有多个紫外及可见光致发光峰,其中344nm发光峰应来源于近带边发射。室温透射谱表明薄膜在可见光区具有极高的透过率,薄膜的吸收边位于340nm附近,进而估算出MgxZn1-xO薄膜的带隙宽度为3.59eV,与光致发光结果一致。
- 张锡健马洪磊王卿璞马瑾宗福建肖洪地计峰王翠英
- 关键词：射频磁控溅射光致发光
- 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的绿光发射被引量：23
- 2004年
- 用射频磁控溅射法 ,在硅衬底上制备出具有良好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜。研究了室温下薄膜的光致发光特性 ,观察到显著的单绿光发射 (波长为 5 1 4nm)峰。在氧气中 830℃高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,绿光发射峰强度变弱 ;在真空中 830℃高温退火后 ,绿光发射峰强度增加。
- 王卿璞张德恒马洪磊张兴华张锡健
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
