李世清
- 作品数：33 被引量：48H指数：5
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程核科学技术更多>>
- 光敏器件的γ辐照损伤
- 1992年
- 研究了光敏二极管和三极管经反应堆γ辐照后(辐照剂量为10~4、10~5 和10~6Gy(Si))引起的损伤。结果表明,γ辐照使光敏器件的光电流 I_p、电流放大倍数β和光电响应时间t减小,暗电流I_d增加,结电容C基本不变。被辐照器件放置180d 后,又经180℃温度退火72h,所测光电参数并未得到复原。这说明γ辐照除造成瞬时损伤外,还会引起部分永久性损伤。
- 李世清张能立
- 关键词：光敏器件Γ辐射
- CHHE-MRT方法及其在三体问题中的应用
- 1992年
- 本文在Dzhibuti的三体问题“Hybrid”方法的基础上,提出了“CHHE-MRT”方法,克服了“Hybrid”方法中所遇到的振荡的Bessel函数无穷积分的困难,使“Hybrid”方法可以很方便地使用Gauss势、指数势及Yukawa势研究三体束缚态问题以及散射态问题。
- 许定安李世清刘福庆焦淑卿
- 关键词：三体问题振荡积分核
- 背电场硅太阳能电池离子辐照效应被引量：3
- 1997年
- 空间太阳能电池受电子、质子 ,以及重离子辐照后 ,要受到损伤。文章对背电场硅太阳能电池低能质子、高能质子、碳、氧离子辐照效应进行了研究。对辐照前后太阳能电池光电参数进行测量 ,并用Mante-Carlo方法对辐照粒子在硅中的能量损失过程进行了模拟计算。结果表明 ,各种离子辐照对太阳能电池的损伤是不同的。低能质子对开路电压的损伤比对短路电压的损伤大得多 ,而高能质子对开路电压的损伤较低能质子的反而要小 ,对短路电流的影响则明显大于低能质子的 ,我们同时也对碳、氧离子与质子造成的损伤进行了比较。
- 陈晔李世清鄢和平王仁卉
- 关键词：光电器件太阳能电池硅辐照效应
- 低阻硅材料的快中子辐照
- 1992年
- 半导体材料及器件的特性对粒子辐照非常敏感。实践证明,射线粒子的辐照,会给半导体器件造成损伤,甚至失效。快中子辐照损伤,主要是由于快中子轰击材料时,将能量交给晶格原子,在晶体内形成位移点缺陷或空位团,引起所谓的位移损伤。由于半导体中缺陷的状态影响着材料的许多光学和电学性质,因此,关于中子辐照在半导体材料中形成缺陷的研究对于理论和应用都是重要的。本文研究低阻硅材料的快中子辐照损伤。用正电子湮没寿命谱仪测量辐照前后材料中正电子湮没参数的变化,并对实验结果进行分析和讨论。
- 李世清张能立
- 关键词：快中子辐照
- 塑性形变p型GaAs中的缺陷特性研究
- 1998年
- 用正电子湮没寿命谱研究了塑性形变P型砷化镓中的缺陷性质．样品原始载流子浓度为2．63X10^18cm-3．形变量分别为2．5％，5％，7．5％，10％和15％．室温正电子寿命测量结果显示，形变样品中有新的空位型缺陷产生，鉴定为空位团．根据塑性形变样品中空位团的正电子捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断：在P型GaAs中，塑性形变产生的空位团的荷电性为正．正电子寿命温度实验显示，在低温下形变样品中还存在正电子浅捕获态．浅捕获中心很可能是锌代位杂质和镓反位缺陷．
- 王柱王少阶陈志权马莉李世清
- 关键词：P型点缺陷塑性形变半导体砷化镓
- 裂变产物中子数据库重要核素的分析被引量：1
- 1990年
- 我们对反应堆和核爆装置所需裂变产物中子数据进行分析,从300多种裂变产物核素中选出了重要核素50种。建立裂变产物中子数据库时,应首先考虑这些核素。1 裂变产物中子数据的作用1.1 反应堆的需要1.1.1 计算中子分布反应堆的性能和各种过程是由系统内中子的空间、能量、时间分布决定的。预言和测量这些分布是反应堆物理设计和运行控制的中心问题。由于快中子堆体积较小,能谱与角分布关系很重要,必须用中子输运理论求解。典型的中子输运方程包含中子速率、能谱和角分布,空间各处中子与核相互作用的总截面和微分截面等。在燃耗过程中还必需考虑裂变产物的衰变、与中子反应的全截面、各反应道截面、次级中子能谱和角分布等随时间的变化。
- 刘燕平李世清
- 关键词：裂变产物中子核素数据库
- 用CHHE-MRT方法研究3-α集团基态
- 1993年
- 本文用CHHE-MRT方法研究了3-α集团的基态。给出了3-α束缚态二体T矩阵和三体超径向波函数的公式,并分别用高斯势、汤川势和指数势计算了3-α集团(^(12)C)基态的解。计算虽然只取K=0,2近似,算得的结合能仍与实验值比较符合。
- 李世清许定安刘福庆
- 关键词：碳12基态
- 高聚物自由体积特性的正电子谱学研究
- 王波张敬民戴益群何春清张明李世清王少阶
- 关键词：高聚物
- 导电聚合物聚醚聚氨酯的结构与导电性能的正电子湮没研究
- 1996年
- 用正电子湮设方法研究了高分子固体电解质聚醚聚氨酯（ＰＥＵ）在与ＬｉＣＩＯ＿４络合前后的结构变化及导电性能．实验结果表明，当ＰＥＵ与ＬｉＣＩＯ＿４络合后，正电子素（ｏ－Ｐｓ）的寿命及其强度均减少，而中间寿命分量的湮没参数基本不变．这表明Ｌｉ杂质主要扩散在无序的非晶区．掺杂前后样品的温度实验表明，在玻璃化转变温度Ｔ＿ｇ之下，络合前后的自由体积分数的变化很小，这与自由体积理论预言的结果一致．在Ｔ＿ｇ之上，络合后的自由体积空洞的浓度和自由体积分数均减小．此外，ＰＥＵ－ＬｉＣＩＯ＿４络合物的电导率随温度和Ｌｉ杂质浓度的变化可以用自由体积理论解释．
- 王波彭治林吴弯李世清王少阶刘皓谢洪泉
- 关键词：聚醚聚氨酯导电性
- 硅光电器件两种辐照效应的比较被引量：5
- 1998年
- 比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。
- 陈炳若李世清鄢和平高繁荣
- 关键词：光电器件光电流谱辐照效应硅半导体
