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李家旭
作品数:
9
被引量:30
H指数:4
供职机构:
电子科技大学光电信息学院光电子技术系
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发文基金:
国家自然科学基金
国防科技技术预先研究基金
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相关领域:
电子电信
机械工程
核科学技术
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合作作者
叶玉堂
电子科技大学光电信息学院光电子...
李忠东
电子科技大学光电信息学院光电子...
叶婧
电子科技大学
舒海洪
电子科技大学光电信息学院光电子...
李正东
电子科技大学光电信息学院光电子...
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昆明物理研究...
作者
9篇
叶玉堂
9篇
李家旭
6篇
李忠东
3篇
舒海洪
3篇
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李正东
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传媒
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光学学报
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中国激光
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1篇
光学技术
1篇
电子科技大学...
年份
1篇
2002
1篇
2001
4篇
1997
3篇
1996
共
9
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(HgCd)Te探测器峰值响应波长的Franz-Keldysh偏移
被引量:1
1996年
对(HgCd)Te探测器峰值响应波长的Franz-Keldysh偏移进行了实验研究。实验结果表明,在强电场中,(HyCd)Te具有很强的Franz-Keldysh效应,因而可能导致光吸收峰值波长向长波长方向的明显偏移。
叶玉堂
李家旭
洪永和
李忠东
程进
赵举廉
关键词:
HGCDTE
红外探测器
激光器
用固态杂质源在GaAs衬底上实现的连续波CO_2激光诱导Zn扩散
被引量:18
1997年
用含Zn的固态杂质源,在化合物半导体GaAs基片上进行了连续波(CW)10.6μm激光诱导扩散,做出了P-N结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品进行扩散区形貌分析和杂质分布研究,给出了结深xj、杂质浓度分布C(x,t,T)等性能参数和扩散时间t、温度T等工艺参数之间的关系。
叶玉堂
李忠东
洪永和
叶灵
李家旭
关键词:
激光诱导扩散
二氧化碳激光器
(HgCd)Te探测器激光保护的一种新方法
被引量:1
1996年
理论计算和实验都表明(HgCd)Te具有很强的Franz-Keldysh效应。利用Franz-Keldysh效应,可以使(HgCd)Te探测器的光吸收产生电致偏移,对10.6μmCO2激光辐射由不吸收状态转变为吸收态,并进而为远红外(HgCd)Te探测器提供一种有效的光过荷保负方法,文中提出了这种基于Franz-Keldysh效应的光探测器激光保护新方法。分析了该方法的激光防护原理,给出了实验结果。
叶玉堂
李家旭
洪永和
关键词:
光电子
探测器
(HgCd)Te探测器-光吸收系数控制器组件的实验研究
被引量:1
2002年
(HgCd)Te探测器具有较为明显的弗兰兹 凯尔迪什效应 ,且其弗兰兹凯尔迪什效应有效强度的强弱与(HgCd)Te探测器的外加偏压有关。据此制作了 (HgCd)Te探测器的光吸收系数控制器 ,并用 (HgCd)Te探测器和光吸收系数控制器组成一个组件 ,实验证明了该组件既能提高输出信号 ,又能实现强光保护 ,这在实际应用中具有一定的价值。
李正东
叶玉堂
李家旭
舒海洪
何琳玲
李德智
关键词:
光子探测器
(HgCd)Te探测器的光吸收系数对其有效Franz-Keldysh偏移的影响
被引量:4
1997年
在讨论(HgCd)Te探测器耗尽层宽d和光吸收系a的基础上,导出了探测器截止波长的有效Franz-Keldvsh偏低△λce与a、d的关系式,说明了实验测定的△λce偏低的原因.
叶玉堂
李家旭
洪永和
李忠东
叶婧
舒海洪
李正东
关键词:
探测器
半导体
MCT探测器Franz-Keldysh效应有效强度的一种表征方法
2001年
通常只有使用较为昂贵、精密的实验设备才能获得 MCT探测器响应波长的偏移量 ,才可确定 MCT探测器 Franz- Keldysh(以下简写为 F- K)效应的强度。提出一种表征 MCT探测器 F- K效应有效强度的简易方法 ,即用 MCT探测器在零偏压及反偏压时的输出电压比来表征其 F- K效应有效强度的强弱。实验结果证实了这种方法有效、可行。
李正东
叶玉堂
李家旭
舒海洪
何琳玲
关键词:
FRANZ-KELDYSH效应
CO2激光器
一种应用于探测器上的抗激光致盲新方法
被引量:2
1996年
基于Franz-Keldysh效应.提出了一种新型的提高(HgCd)Te探测器抗激光致盲能力的新方法,同时给出了利用这种新方法实现自动保护功能的简单方案.并通过实验加以验证.证明这一方法能够大幅度提高(HgCd)Te探测器的抗激光致盲能力。
李家旭
叶玉堂
洪永和
李忠东
叶婧
赵举谦
程进
关键词:
光电控制器
探测器
连续波激光诱导扩散区温度的不接触测量
被引量:13
1997年
激光诱导扩散中曝光区的大小在10μm数量级,其温度分布的测量是比较困难的.该文报道一种曝光区中极微小面元温度的不接触测量.文中介绍了测量原理、实验装置,给出了实验结果,并特地介绍了测量系统的定标.
李忠东
叶玉堂
洪永和
叶婧
李家旭
关键词:
激光诱导扩散
温度测量
半导体
GaAs衬底的固态杂质源脉冲1.06μm激光诱导扩散
被引量:14
1997年
利用1.06μm脉冲Nd∶YAG激光,以含Zn的固态杂质源在化合物半导体GaAs基片上进行诱导扩散,作出了P-N结。获得了亚微米的扩散结结深及1020cm-3量级的表面掺杂浓度,并利用二次离子质谱仪对扩散样品进行成分的逐层扫描分析,研究了结深和掺杂浓度与辐照激光脉冲数。
叶玉堂
李忠东
洪永和
叶灵
李家旭
关键词:
光电子
掺杂
砷化镓
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