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李研
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李亮
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2007
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微处理器6T SRAM单元的电路设计与实现
随着MOSFET的特征尺寸不断缩减,由器件参数本征波动引起的电路稳定性问题日益突出。为了满足6T SRAM单元的电路设计要求,本文阐述了CR(cell ratio)、 PR(pullup ratio)和V<,SNM>三个...
李亮
李研
柯希明
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SRAM单元
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