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杨凯华

作品数:8 被引量:29H指数:2
供职机构:北京工业大学应用数理学院更多>>
发文基金:北京市科技新星计划北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 8篇理学
  • 2篇文化科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇物理实验
  • 4篇教学
  • 3篇实验教学
  • 2篇大学物理
  • 2篇教学改革
  • 1篇电子结构
  • 1篇学生思维
  • 1篇英文
  • 1篇噪声
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇思维
  • 1篇子结构
  • 1篇吸收带
  • 1篇系统噪声
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇纳米
  • 1篇教学探讨
  • 1篇教育

机构

  • 8篇北京工业大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇四川师范大学

作者

  • 8篇杨凯华
  • 4篇高凤英
  • 1篇龙贤哲
  • 1篇邓金祥
  • 1篇黄善营
  • 1篇王吉有
  • 1篇马晓红
  • 1篇田光善
  • 1篇孔乐
  • 1篇刘红梅
  • 1篇何培松
  • 1篇杨倩倩
  • 1篇刘成章
  • 1篇吴宇鹏

传媒

  • 2篇原子与分子物...
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇真空
  • 1篇高等理科教育
  • 1篇2007年全...
  • 1篇第四届全国高...
  • 1篇首届全国高等...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
我国大学物理实验教学改革研究的几点思考被引量:25
2008年
文章针对现阶段国内外大学物理实验教学现状以及存在的主要问题,结合北京工业大学物理实验教学的实际情况,提出了我国大学物理实验教学的创新思路、改进方法和措施。
杨凯华高凤英
关键词:物理实验实验教学
Pb^2+:CaWO4晶体电子结构研究被引量:2
2008年
运用局域密度泛函理论的离散变分方法(DV-X()模拟计算了掺Pb2+后CaWO4晶体的电子结构.计算结果表明,掺Pb2+后晶体的带隙明显变窄;晶体中可能存在Pb的6 s态到W的5 d态的电子跃迁过程,用过渡态的方法计算得到其光学跃迁能为3.86 eV(对应322 nm吸收带).并解释了晶体内440 nm发光带起源于W的5 d态到Pb的6 s的金属离子间电子转移过程.
黄善营马晓红杨凯华
关键词:电子结构吸收带
我国大学物理实验教学的创新思路和改进措施探讨
针对现阶段我国大学在物理实验教学中普遍存在的问题,结合我校在物理实验教学的实际情况,提出我国大学物理实验教学的创新思路、新方法和改进措施。
杨凯华高凤英
关键词:物理实验实验教学大学物理
文献传递
在实验教学中培养学生思维意识的教学探讨
本文从学生的认知科学的角度,总结出从三个层次上去领会实验教学中有普遍意义的物理思想,是对学生进行科学思维能力和探索能力培养的有效途径,也是培养学生用实验的方法解决物理问题的能力的有效教学探讨。
高凤英杨凯华
关键词:高等教育物理实验教学程序
文献传递
我国大学物理实验教学的改革与创新研究
面对科学技术的飞速发展和现代社会对人才的巨大要求,从国内外大学物理实验的教学理念、教学内容、教学方法和教学模式入手,归纳总结出大学物理实验教学的发展现状,针对现阶段我国大学物理实验教学存在的主要问题,提出我国大学物理实验...
杨凯华高凤英
关键词:物理实验实验教学教学改革大学物理
文献传递
电-声子耦合强度对量子点系统噪声的影响(英文)被引量:2
2009年
利用Lang-Firsov正则变换和Keldysh非平衡格林函数方法研究了低温下具有电子-声子相互作用的量子点系统的噪声.我们特别注意了电-声子耦合强度的变化对量子点系统噪声的影响.数值结果表明:随着电-声子耦合强度的增大,系统的噪声增大,同时微分噪声谱中会出现一系列的声子伴带峰,峰的高度和数目对电-声子耦合强度的变化非常敏感.我们也研究了系统的Fano因子,它显示系统噪声对肖特基(Schottky)公式的偏离.在高偏压区,Fano因子随着电-声子耦合强度的增大而增大.
杨凯华刘成章吴宇鹏
关键词:量子点噪声
关于纳米尺度体系中单粒子分布函数的一些严格结果
2007年
利用变分原理,首先证明在零温下,量子点系统和超导小颗粒系统的单粒子分布函数对于单粒子能量是非增的。然后利用Klein不等式证明,在非零温下,这一结论仍然正确。这些结果明确地显示,这一分布函数随单粒子能量的非增行为是由这些纳米系统的量子稳定性条件决定的。
龙贤哲杨凯华何培松田光善
不同Si含量掺杂的ZTO薄膜的制备与研究
2020年
本文采用磁控溅射法制备Si元素掺杂的ZnSnO薄膜(SZTO),研究Si元素掺杂对薄膜样品性能的影响。XRD衍射图谱表明,不同Si掺杂含量的薄膜均呈现非晶态。利用原子力显微镜表征薄膜的表面形貌,随着Si含量的增加,薄膜样品的表面粗糙度呈现出单调递增的趋势,Si掺杂使薄膜样品的平整度降低。透射谱测试表明不同Si含量掺杂的SZTO薄膜在可见光波段均具有较高的透射率,利用Si元素掺杂可以提高在可见光范围的透射率,并有效增加ZnSnO(ZTO)薄膜的光学带隙。PL谱测试表明,随着Si掺杂浓度的升高,PL谱的强度呈现出不同程度的增大,且展宽变宽,这表明Si掺杂的ZTO薄膜样品中引入了一些深能级缺陷。
戴永喜杨倩倩邓金祥孔乐刘红梅杨凯华王吉有
关键词:射频磁控溅射
共1页<1>
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