梁薇薇
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 供职机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信更多>>
- Al-N共掺杂p型ZnO薄膜制备及电学性能的研究被引量：2
- 2012年
- 利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018～6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1～9Ω·cm,迁移率为1～2 cm2·V-1·s-1。与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关。此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因。
- 梁薇薇孔春阳秦国平阮海波
- 关键词：XPS
- p型ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性研究被引量：7
- 2012年
- 采用电子束蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜,以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜.借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性.结果表明:所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构,在ZnO:N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式(位于272.5,505.1和643.6cm-1),分析表明N已掺入ZnO薄膜中;霍尔测试表明,通过适当退火处理后,ZnO:N薄膜向p型转变,其空穴浓度为7.73×1017cm-3,迁移率为3.46cm2V-1s-1,电阻率为2.34Ωcm.然而,长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO:N薄膜的p型性能随时间并不稳定,结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO:N薄膜中存在残余压应力,同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷(N2)O是p型不稳定的根本原因.
- 李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇孟祥丹赵永红梁薇薇方亮
- 关键词：拉曼光谱稳定性第一性原理
- p型ZnO:Al--N薄膜的制备及物性研究
- ZnO是一种具有优异特性的宽禁带半导体材料。由于ZnO在室温下为具有很高的激子束缚能(60meV)，高于其它宽禁带半导体材料（如GaN为21meV，ZnSe为20meV，也远高于室温热能26meV），激子增益也可达到32...
- 梁薇薇
- 关键词：P型ZNO射频磁控溅射离子注入
- N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展被引量：3
- 2011年
- 获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺(N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。
- 李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇梁薇薇孟祥丹赵永红
- 关键词：P型ZNO薄膜稳定性
