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汪开源
作品数:
42
被引量:100
H指数:5
供职机构:
东南大学电子科学与工程学院
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合作作者
唐洁影
东南大学电子科学与工程学院
徐伟弘
东南大学电子科学与工程学院
王占强
东南大学电子科学与工程学院
曹康敏
东南大学电子科学与工程学院
高中林
东南大学电子科学与工程学院
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传感技术学报
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1996
9篇
1995
16篇
1994
2篇
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3篇
1992
1篇
1989
1篇
1988
共
42
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M/PS/Si/M结构的电致发光
被引量:1
1995年
用阳极氧化工艺制作了多孔硅(PS)膜,采用第二次阳极氧化的方法看到了多孔硅的电致发光现象;并制作了一个M/PS/Si/M类肖特基结构的发光二极管,观察到其电致发光,但其电致发光效率与强度很低,寿命很短,提出了研制实用化的多孔硅电致发光器件的努力方向。
汪开源
唐洁影
关键词:
电致发光
阳极氧化
多孔硅吸收光谱和反射光谱
被引量:3
1997年
测定了多孔硅的吸收光谱和反射光谱,结果发现其吸收边对应于可见光区域。同单晶硅相比,其吸收边发生了蓝移,并且吸收强烈。由多孔硅反射谱曲线。
徐伟弘
晁战云
汪开源
关键词:
多孔硅
吸收光谱
反射光谱
MCS—51单片机系统失控的快速自恢复方法
被引量:1
1996年
在工业应用现场,单片机系统难免会出现失控现象,本文对MCS-51单片机系统失控的原因进行了归类分析并有针对性地给出了一些实用的系统失控的快速自恢复的软硬件措施。
王占强
徐伟弘
汪开源
关键词:
自恢复
微机
多孔硅发光器件的设计与试验
被引量:1
1995年
设计了多孔硅电致发光器件,讨论了工艺条件对器件I—V特性影响。试验中已观察到微弱的电致发光。认为利用多孔硅制备可见光发光器件是可行的。
唐洁影
汪开源
关键词:
多孔硅
发光器件
多孔硅吸收光谱的研究
被引量:1
1996年
利用大电流剥离方法制备了多孔硅薄膜层,测定了其吸收光谱。结果发现其吸收边对应于可见光区域,同单晶硅吸收光谱相比,其吸收边发生了蓝移,并且吸收强烈。这说明多孔硅的能带结构较硅发生了改变,表现为一种新的能带结构特征。
晁战云
唐洁影
汪开源
关键词:
多孔硅
吸收光谱
多孔硅深能级谱的测试
1997年
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱(DLTS)。结果发现,其深能级都处于禁带深处,其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测得的谱线进行了计算和分析,并联系多孔挂的表面状态作了分析和讨论。
晁战云
唐洁影
汪开源
关键词:
多孔硅
表面态
多孔硅发光机制的分析
被引量:22
1994年
从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应,推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了PS光致发光的实验现象。
汪开源
唐洁影
关键词:
多孔硅
光致发光
量子限制效应
量子力学
一维 PSD 信号调理电路及其应用
被引量:31
1997年
本文介绍了一维位置敏感器件PSD及其信号调理电路,还介绍了一维PSD的信号处理专用集成电路H2476的特点,并给出了一维PSD、H2476在光学三角测距系统中的应用。
王占强
徐伟弘
汪开源
关键词:
集成电路
三角法
PSD
信号处理
测距系统
多孔硅的形成与光致发光谱
被引量:2
1994年
介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺,并分析了它的微结构,实验测定了多孔硅光致发光谱(PL),由PL谱的峰值位于可见光区,不同于Si的带隙能量;用纳米量子限制效应(Q-CE),解释了多孔硅中进入量子线中电子和空穴能量增量为ΔEc和ΔEv,于是多了孔硅有效带宽成为E=E。+ΔE。而E。是Si的带宽为l.08eV,ΔEc和上ΔEv分别为h2/4meq2和h2/4mhq2,由此计算与实验结果一致。
汪开源
徐伟宏
唐洁影
关键词:
多孔硅
微结构
光致发光谱
硅
用声表面滤波器作光-光中继器的抽时钟电路
1994年
本文对影响3R光-光三次群光中继器的性能的主要因素抽时钟电路进行了分析研究,介绍了一种新型的声表面滤波器(SAWF)作为抽时钟电路的核心器件,实验由SAWF器件得到的时钟抖动较小,最大时钟抖动为0.3us(4.5°),在9连“0”时,时钟性能无明显下降,并具有电路结构简单、调整方便、时钟频率准确等优点。
汪开源
唐洁影
关键词:
光中继器
声表面滤波器
光纤通信
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