王立铎
- 作品数：134 被引量：192H指数：8
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种有机电致发光器件的制备方法
- 本发明设计一种有机电致发光器件的制备方法。在器件的第一电极图形上制备具有上大下小的倒梯形绝缘柱(隔离柱)，然后依次蒸镀有机层和金属层，由于绝缘柱的阴影效应使器件的第二电极被有效地分割开来。倒梯形绝缘柱通过两次旋转涂覆绝缘...
- 邱勇李璟邵玉暄王立铎梁延春
- 文献传递
- 二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极及其制备方法
- 本发明涉及一种新型二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极及其制备方法。薄膜电极由导电衬底和位于其上面的包含第一层致密TiO<Sub>2</Sub>薄膜层和第二层大孔TiO<Sub>2</Sub>薄膜层的复合层共同构成，第一层致...
- 邱勇马玉涛王立铎
- 文献传递
- 二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极及其制备方法
- 本发明涉及一种新型二氧化钛纳晶光吸收增强型薄膜电极及其制备方法。薄膜电极由导电衬底和位于其上面的包含第一层致密TiO<Sub>2</Sub>薄膜层和第二层大孔TiO<Sub>2</Sub>薄膜层的复合层共同构成，第一层致...
- 邱勇马玉涛王立铎
- 文献传递
- 前驱体溶液及其制备方法，太阳能电池电子传输层的制备及太阳能电池
- 本发明实施例提供一种用于制备太阳能电池电子传输层的前驱体溶液的制备方法，包括：将锡的氯化物添加至有机溶剂中，形成混合溶液；对所述混合溶液进行加热蒸发和冷凝回流，使混合溶液形成二氧化锡溶胶；以及在具有所述二氧化锡溶胶的所述...
- 董庆顺史彦涛王立铎
- 通过S^(2-)中间态将CdSe量子点有机配体转化为ZnS保护层及其器件光伏特性(英文)
- 2013年
- 通过S2-中间态将有机配体三辛基氧膦(TOPO)转化为ZnS保护层,显著改善了CdSe量子点(QDs)器件的转换效率.配体交换后的傅里叶变换红外(FTIR)光谱结果表明,有机配体已被S2-离子配体取代;离子反应后的X射线光电子能谱(XPS)结果表明S2-离子配体反应生成了ZnS,紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱结果表明量子点溶液吸收峰位没有发生明显改变,透射电子显微镜(TEM)结果表明配体交换后量子点粒径减小.电化学阻抗谱(EIS)结果表明光照条件下有机配体转化为ZnS保护层后TiO2/QDs/电解质界面电阻减少,证明该条件下正向电子传输增强;强度调制光电压谱(IMVS)和强度调制光电流谱(IMPS)结果表明电子寿命和扩散速度增加.相比于有机配体,形成ZnS保护层后的量子点敏化太阳能电池(QDSC)效率由0.98%提高到1.75%,相对提高了1.78倍.
- 李闻哲王立铎高瑞董豪鹏牛广达郭旭东邱勇
- 关键词：配体交换离子反应CDSE量子点
- 一种有机电致发光器件的制备方法
- 本发明设计一种有机电致发光器件的制备方法。在器件的第一电极图形上制备具有上大下小的倒梯形绝缘柱(隔离柱),然后依次蒸镀有机层和金属层,由于绝缘柱的阴影效应使器件的第二电极被有效地分割开来。倒梯形绝缘柱通过两次旋转涂覆绝缘...
- 邱勇李璟邵玉暄王立铎梁延春
- 文献传递
- 一种有机电致发光器件的封装层及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种有机电致发光器件的封装层及其制备方法，并涉及制备该封装层方法的应用，属于有机电致发光技术领域。该封装层位于器件一侧或两侧，包括由聚合物材料层和陶瓷材料层以一定周期数n交替重叠组成的薄膜层，还包括位于薄膜层上...
- 邱勇段炼李扬王立铎
- 文献传递
- 钛箔活性金属法连接氧化锆陶瓷和不锈钢时ZrO_2/Ti结合界面的反应行为被引量：2
- 1997年
- 用XRD、EPMA，IMA，XPS，AES等测试手段，对使用钛箔活性金属法连接氧化锆陶瓷和不锈钢时结合界面的反应行为进行了研究结果表明：ZrO2中的O同界面附近的Ti发生反应生成TiO反应相。同时，结合界面附近的ZrO2引起变质现象，其变质层中O的含量降低。
- 王立铎王英华李文治李恒德沖猛雄
- 关键词：氧化锆不锈钢
- 铝锂合金增强有机电致发光器件电子注入的研究
- 在本工作中,我们双源共蒸了金属Al和Li3N(蒸镀时释放出金属Li),得到了Al掺杂Li的混合薄膜,并通过XRD和XPS测试证实了Al:Li合金的形成。并且将这种合金薄膜用于有机发光二极管
- 谢恺段炼张德强乔娟董桂芳王立铎邱勇
- 关键词：有机发光二极管阴极电子注入合金
- 文献传递
- 溶液法制备的氧化锌多层膜及其场效应性质(英文)被引量：5
- 2010年
- 通过旋涂法,采用不同浓度的前躯体制备了氧化锌多层膜,并制备了基于此多层膜的薄膜晶体管器件.实验证明,基于按照氧化锌前躯体浓度顺序为0.25、0.10和0.05 mol.L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的晶体管器件的载流子迁移率为0.02 cm.2V-.1s-1,高于按照浓度顺序为0.05、0.10和0.25 mol.L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的载流子迁移率(0.013 cm2.V-.1s-1).原子力显微镜(AFM)结果表明,前一种薄膜粗糙度的均方根值(rms)为3.95 nm,而后一种薄膜粗糙度的rms远远高于前者,为4.52 nm,这就说明了氧化锌薄膜的粗糙度对薄膜的半导体性质有很大的影响,这是由于平整的薄膜有利于形成理想的源/漏电极与半导体层的接触.在晶体管中,起传输作用的半导体层是靠近ZnO/SiO2界面处的几纳米的半导体层中的氧化锌晶粒,因此起始形成的氧化锌薄膜的结晶度影响着晶体管的性能.采用X射线衍射(XRD)测试了多层膜中起始形成的薄膜的结晶性能.对于前一种薄膜,起始形成的薄膜为多晶薄膜,而对于后一种薄膜,起始形成的薄膜是无定形薄膜.因此,粗糙度以及起始形成的薄膜的结晶度影响着多层半导体薄膜的性质.
- 王小燕董桂芳乔娟王立铎邱勇
- 关键词：氧化锌多层膜场效应薄膜晶体管
