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田增霞

作品数:11 被引量:19H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划北京市教委基金资助项目北京市教委资助项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体激光
  • 6篇半导体激光器
  • 4篇腔面
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇蒸发
  • 2篇吸收材料
  • 2篇界面态
  • 2篇禁带
  • 2篇可靠性
  • 2篇宽禁带
  • 2篇激光器腔面
  • 2篇光学
  • 2篇光学薄膜
  • 2篇SI
  • 2篇LD
  • 1篇电流
  • 1篇镀膜

机构

  • 11篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 11篇田增霞
  • 10篇沈光地
  • 9篇徐晨
  • 9篇舒雄文
  • 2篇高国
  • 2篇崔碧峰
  • 2篇罗丹
  • 2篇陈建新
  • 1篇陈依新
  • 1篇刘莹
  • 1篇邹德恕
  • 1篇于海鹰
  • 1篇郭伟玲
  • 1篇张蕾

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇真空
  • 1篇光电工程
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 8篇2006
  • 1篇2005
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
808nm半导体激光器腔面硫钝化工艺研究被引量:6
2006年
对808 nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究,发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性,输出功率提高了16.7%;经过1 500 h老化实验后,硫钝化的半导体激光器没有明显退化,而未处理的激光器退化严重,输出功率降低了36.8%。实验表明,硫钝化时间对激光器钝化效果有很大影响,激光器腔面硫钝化时间过长会造成其损伤,使其可靠性反而下降;硫钝化5 m in效果为最佳。
田增霞崔碧峰徐晨舒雄文张蕾沈光地
关键词:半导体激光器腔面硫钝化可靠性
电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究被引量:11
2006年
研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明,在300~1100nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a—Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3。
舒雄文徐晨田增霞罗丹沈光地
关键词:消光系数半导体激光器
一种半导体激光器腔面钝化的方法
本发明属于半导体激光器领域。包括以下步骤:半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室;离子预清洗,即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及...
徐晨沈光地舒雄文田增霞陈建新高国
文献传递
半导体激光器腔面镀膜工艺的研究
大功率半导体激光器作为一种新型的激光光源,具有较高的光电转换效率和可靠的工作稳定性并且体积和驱动简单,具有极其广泛的应用前景。但是实用的器件必须具有良好的输出特性、高的可靠性,而这些都与激光器腔面反射镜有关,合适的腔面反...
田增霞
关键词:半导体激光器腔面镀膜反射率可靠性分析
文献传递
离子源放电电流对真空室压力影响机理研究被引量:1
2006年
揭示了真空室压力随离子源放电电流增长,而且在不同的气流速率时的增长率不同这一现象,并对其机理进行了分析,认为真空室压力随放电电流的增长主要是离化粒子束流密度的增长引起的,当然离化粒子的平均能量的增长也起了作用,而在不同气流速率时该压力增长率的不同则主要是因为在不同的气流速率时离化率不同。
舒雄文徐晨田增霞沈光地
关键词:放电电流离化
电子束蒸发Ar离子辅助沉积Si光学薄膜的特性被引量:2
2006年
对用常规电子束蒸发和Ar离子辅助沉积所得的非晶硅光学薄膜的光学常数、表面形貌、热稳定性和湿度稳定性等进行了研究。结果发现Ar离子辅助沉积所得非晶硅光学薄膜的折射率大大提高,表面粗糙度明显降低,湿度稳定性和热稳定性也得到较大改善,但是光学带隙变窄,光学吸收增加。
舒雄文徐晨田增霞沈光地
关键词:光学薄膜离子辅助沉积光学常数
高反膜的计算机模拟及对实践的指导意义
2006年
本文利用计算机对多层介质高反膜反射谱的模拟发现,当构成高反膜系的高、低两种折射率材料的光学厚度不一致时,反射带两侧的第一个谷值的大小将不同,据此作者认为在高反膜镀制时可根据反射带两侧第一个谷值大小情况来调节高反膜中单层膜厚度,实验结果证明了模拟结果的正确性,同时也确证了作者提出的这种方法是可行的。
舒雄文田增霞徐晨沈光地
关键词:高反膜光学厚度
LD条宽对激射波长影响的研究被引量:1
2007年
报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化。对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960nmLD的激射波长进行研究发现,条宽为130、100、75和50μm的器件的激射波长依次变短。进一步分析认为,这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的。根据GaAs材料在不同注入载流子密度下的增益谱及器件条宽变化对阈值载流子密度的影响,可以对实验现象进行合理的解释,从而在器件研制中可通过改变条宽对器件的激射波长在一定范围内进行调节。
罗丹徐晨郭伟玲舒雄文田增霞沈光地
关键词:激射波长LD阈值电流密度
LD内损耗测试新方法
2006年
提出了一种新的测试LD内损耗方法,它通过对后腔面镀高反膜,并对前腔面镀不同反射率增透膜,然后根据外微分量子效率倒数1/ηe与1/ln[1/(RfRr)的线性关系(Rf和Rr分别为前后腔面反射率)求出内损耗值。这样可以消除常用的测试LD内损耗方法中因管座反射带来的误差,使误差降低达15%。
舒雄文徐晨田增霞沈光地
关键词:光功率
一种半导体激光器腔面钝化的方法
本发明属于半导体激光器领域。包括以下步骤:半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室;离子预清洗,即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及...
徐晨沈光地舒雄文田增霞陈建新高国
文献传递
共2页<12>
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