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程伟

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：曲阜师范大学物理工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电子结构
  • 2篇子结构
  • 2篇ALN
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇电器件
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇光吸收
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇和光

机构

  • 2篇曲阜师范大学

作者

  • 2篇程伟
  • 1篇司盼盼
  • 1篇支晓芬
  • 1篇侯芹英
  • 1篇苏希玉

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Si掺杂AlN的电子结构和光吸收被引量：1
2009年
基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势法,研究了Si掺杂纤锌矿AlN的电子结构和光吸收性质。结果表明:杂质能级位于导带底附近,与Al3p能级复合形成导带底,使系统发生Mott相变;Si掺杂后在2.02eV附近出现新的吸收峰,从而改善系统在可见光区的吸收特性。
程伟侯芹英苏希玉支晓芬司盼盼
关键词：ALN电子结构光吸收
AlN和TiO<,2>掺杂体系的电子结构和光学性质的理论研究
AlN是一种很有发展前途的新型光电子材料，在AlN中掺杂Si元素，可以得到较理想的n型AlN薄膜材料，提高系统的电导率，改善其导电性能和光学性质。本征AlN是n型半导体，存在较多本征施主缺陷(如氮空位VN)，很难经过掺杂...
程伟
关键词：氮化铝光电器件电子结构光学性质
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共1页<1>
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