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翟国良

作品数：13 被引量：56H指数：5
供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
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相关领域：核科学技术理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 5篇核科学技术
  • 5篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇污染
  • 3篇钛
  • 2篇真空镀膜
  • 2篇核反应
  • 2篇^3HE
  • 1篇电极
  • 1篇电子谱
  • 1篇质谱
  • 1篇质谱法
  • 1篇质谱法测定
  • 1篇同位素
  • 1篇谱特征
  • 1篇气源
  • 1篇中子
  • 1篇中子发生器
  • 1篇贮氢
  • 1篇贮氢材料
  • 1篇阻挡层
  • 1篇氘靶
  • 1篇氚核

机构

  • 12篇中国工程物理...
  • 8篇复旦大学

作者

  • 13篇翟国良
  • 10篇赵鹏骥
  • 5篇牟方明
  • 5篇张强基
  • 5篇李宏发
  • 4篇龙兴贵
  • 3篇周筑颖
  • 3篇张勇
  • 3篇赵国庆
  • 2篇张小安
  • 2篇蒋昌勇
  • 2篇丁力
  • 2篇罗顺忠
  • 2篇姚书久
  • 2篇伍怀龙
  • 2篇杨福家
  • 2篇彭述明
  • 1篇罗顺中
  • 1篇丁力
  • 1篇许卫东

传媒

  • 5篇原子能科学技...
  • 5篇真空科学与技...
  • 2篇核技术
  • 1篇物理学报

年份

  • 4篇1997
  • 5篇1996
  • 4篇1995
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氘在钛中的扩散行为被引量：6
1996年
对以氘化钛形式吸附在金属钛中的氘的扩散行为进行了研究。样品经电子束加温至３４３℃，用４Ｈｅ－Ｄ前向反冲方法测量氘化钛分解后筑在钛表面和内部的浓度分布。由扩散方程求得吸附的氘化钛样品中氖的扩散系数和表面复合系数，并与通过向钛中注入氘的方法得到的结果进行了比较。
伍怀龙赵国庆周筑颖杨福家龙兴贵翟国良杨时礼赵鹏翼
氚钛膜中^(3)He释放的研究被引量：9
1996年
在极限真空为２×１０－７Ｐａ的超高真空全金属系统中，用四极质谱计分析了氚钛膜中释放的３Ｈｅ气体及其它杂质气体组分。对两块原子比分别为１．６８和１．６９的氚钛膜中释放的３Ｈｅ经过长达４１０ｄ的测量．结果表明，当样品中３Ｈｅ浓度达到０．１时，３Ｈ３的释放系数仍保持为１０－５量级。振动使氦的释放系数增大了５—１０倍。对氚钛膜中释放的杂质气体组分的研究结果表明，用玻璃真空系统制备的氚化钛样品被油污染比较严重。对氚钛膜中３Ｈｅ的早期释放机理也进行了探讨。
龙兴贵翟国良蒋昌勇李宏发罗顺忠赵鹏骥
用^3He→D核反应分析Ti中的D
1995年
用Ｄ－＾３Ｈｅ核反应分析法分析中子发生器用ＴｉＤｘ靶中Ｄ的含量ｘ。并利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器测量了质子能谱，获得了该探测器的灵敏灵参量，仔细研究了半导体探测器对高能质子的响应。对质子射程同耗尽层厚度相当时的质子能谱进行的理论计算一实验现象一致。
周颖耀赵国庆周筑颖许卫东杨福家尤兴贵翟国良李宏发杨时礼赵鹏骥
关键词：NRA核反应分析中子发生器
La-Ni-Al 系贮氢材料的吸、放氢行为研究被引量：11
1997年
研究了Ｌａ－Ｎｉ－Ａｌ系贮氢材料的吸、放氢行为。给出了ＬａＮｉ５－ｘＡｌｘ（ｘ＝０．２５、０．５０、０．７５、１．００）的吸附等温线、吸附速率及其氢化物的解吸平衡压与温度的关系曲线；定量确定了合金的吸附平衡压和饱和吸附容量等吸氢性能参数及基本的热力学参数ΔＨ㈠值和ΔＳ㈠值；初步探讨了上述参数与Ａｌ含量之间的定性关系。
彭述明赵鹏骥姚书久张小安翟国良罗顺中
关键词：吸附速率储氢合金
钯对钛膜吸氢能力的抗污染作用的研究被引量：2
1997年
为寻求一种防止因表面污染而导致钛膜吸氢能力下降的途径，用表面分析方法检测样品表面状态，用质谱仪测量样品吸氧能力，研究了表面状态和吸氢能力的相互关系。采用在钛膜上淀积钯膜（蒸发或溅射）的方法，可使受碳、氧污染的钛膜吸氢能力得以恢复。这种钯／钛复合结构在吸氢能力上对碳、氧污染并不灵敏。对样品的近费米能级处的占有电子态密度（densityofstate，DOS）的测量证明，凡吸氢能力良好的样品，DOS呈峰形结构。具有抗污染能力的钯／钛结构，其DOS因污染而导致的变化很小，而无抗污染能力的钛膜，其峰形结构受污染作用而消失。这种峰形结构能提供氢分子解离吸附过程中所需的电子。
张强基傅希涌漆其鸿赵鹏骥翟国良牟方明
关键词：表面污染钯钛
钛和氘化钛的电子谱特征被引量：4
1995年
在SKL－12型多功能谱仪上进行了纯钛和氘化钛（TiD1.7）能量损失谱（ELS）和X射线光电子谱（XPS）的研究。实验发现，氘化钛的等离激元的能量增加，并且其Ti2p1/2，2p3/2能级的结合能增大。氘化钛较之纯钛其费米能级以下5～11eV出现一新的能态。以上结果表明：氘原子的电子在氘化钛中的行为类似自由电子，同时，钛与氘之间发生电荷转移，电子转移的方向为Ti→D。
张勇丁力张强基牟方明翟国良赵鹏骥
关键词：钛电子谱
用四极质谱法测定从金属氚化物中释放的^3He被引量：12
1996年
使用自行设计的超高真空金属系统和气体样品净化装置，以引进的Ｇａｓｔｒａｃｅ－ｓ型气体分析四极质谱计为分析器，以纯度为９９９％的３Ｈｅ和４Ｈｅ气体为标准气样，对微量气体样品中Ｈｅ同位素的四极质谱峰高比测定法进行了实验研究。结果表明，Ｚｒ－Ａｌ活性气体吸收剂能在３９０ｓ内将活性杂质气体含量为４０．７％的３Ｈｅ气体样品净化到接近１００％。当Ｈｅ进样量＞５×１０－７ｍｌ．ａｔｍ时，仪器灵敏度稳定，Ｓ（３Ｈｅ）／Ｓ（４Ｈｅ）＝０．４１，在本系统中，仪器对Ｈｅ原子的探测极限达到了１０１０。
龙兴贵翟国良蒋昌勇李宏发罗顺忠赵鹏骥
关键词：氦同位素
SIMS对氘靶钛膜中氘的分布研究被引量：3
1996年
用负的ＳＩＭＳ分析技术进行Ｈ同位素相对含量随Ｔｉ膜深度变化的分析，获得了氘随膜深度变化的分布曲线。在接近膜表面的一个深度范围内，除有明显的Ｏ－、ＣＯ－和很微弱的ＯＨ－、ＯＤ－及ＣＨＯ－峰谱外，还有很大的Ｄ－二次离子质谱峰，氘的丰度估计约为９８％。在靶膜内部，氘的丰度达９９％以上。在接近膜与底衬交界面的地方，Ｄ－谱峰很小，Ｏ－谱峰为痕迹量。文章对分析结果进行了讨论。
李宏发翟国良
关键词：真空镀膜SIMS氘靶
高压氘氚气源的研制被引量：1
1996年
研究了Ｕ和ＬａＮｉ５的饱和吸氢容量、保留量、非饱和度与保留量的关系，Ｕ和ＩａＮｉ５氢化物的离解平衡压与温度的关系。Ｕ床和ＬａＮｉ５床组合使用，是一种获得高压氘氚气源的理想途径。
姚书久翟国良彭述明张小安
碳污染对钛膜吸氢能力影响的研究被引量：3
1997年
在钼基底上蒸镀钛膜，用乙炔（C2H2）在钛膜表面引入碳污染，用X射线光电子谱和俄歇电子谱研究钛膜表面的碳的化学状态，以及表面的碳污染对钛膜吸氢能力的影响。实验发现，碳在钛表面以两种到三种化学状态存在。碳在钛表面将使钛膜的吸氢能力下降，而且不同化学状态的碳对钛膜吸氢能力的影响也不同。实验结果表明，呈TiC状态的碳是降低钛膜吸氢能力的主要因素，其原因是它使解离吸附位置减少。
张强基漆其鸿曹昭赵鹏骥翟国良牟方明
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