苏旭
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 单晶硅表面贵金属晶粒层的制备
- 2008年
- 将预处理过的单晶硅p-Si(100)浸入含贵金属盐的HF溶液,制备了Ag,Au,Pd和Pt的晶粒层.用原子力显微镜(AFM)、开路电位(OCP)、循环伏安(CV)和交流阻抗(A.C.Impedance)方法对晶粒层性能进行了考察.形貌显示,在浸镀20s后,Ag和Pd晶粒层基本上覆盖了硅基底,Ag颗粒致密,Pd颗粒之间仍有空隙且晶粒较Ag大.Au晶粒层部分覆盖了基底,而Pt只有极少数的晶粒.60s后,Ag,Pd和Au晶粒层都完全覆盖了基底,而Pt晶粒仍然较少,但晶粒有所长大.循环伏安显示,Pd的溶出峰电流比Ag,Au,Pt高1个数量级.交流阻抗测量表明,Pd晶粒层阻抗最小.结果表明,Ag,Pd和Au都能用浸入沉积的方法在单晶硅上短时间内制备出晶粒层,而Pt不能,选用哪种晶粒层,需要根据后续工序和实际需要而定。
- 苏旭常彦龙马传利王春明
- 关键词：单晶硅贵金属
- 热集成的贵金属催化多孔硅微反应器元件的制备
- 2008年
- 用直流腐蚀的方法,在HF溶液中用p型单晶硅[p-Si(100)]制备了单孔3μm×2μm、总孔容积0.0224mm3的多孔硅母模。用浸入置换的方法在多孔硅上沉积了Ag、Au、Pd、Pt的催化晶粒层。用化学镀的方法在多孔硅母模上沉积了一层厚约15μm的Ni镀层,然后用电镀的方法增厚至200μm,并从多孔硅上超声剥离,得到镍阳模。形貌显示,催化晶粒层只在多孔硅的棱边上沉积,不在孔洞中生长,多孔硅在保持多孔形状的同时,负载了一层贵金属催化剂,可以用来制备集成催化功能的微反应器。镍阳模与多孔硅的结合面是一层带环隙的岛状颗粒,可以用作微换热器。用此方法可以用简单、价廉的工艺制备适用性较广的热集成的贵金属催化微反应器元件。
- 常彦龙苏旭马传利王春明
- 关键词：单晶硅多孔硅化学镀电镀微反应器
- 多孔硅上贵金属的浸入沉积被引量：3
- 2007年
- 将多孔硅浸入含贵金属盐的HF溶液20s,制备了Ag,Au,Pd和Pt的沉积层.AFM形貌显示,这4种贵金属都能在多孔硅上直接沉积,但Pt的沉积量比其他3种少.SEM图及能谱(Energydispersive X-ray spectrometer,EDS)分析显示,沉积层优先生长在孔边上,孔边上的沉积量约是孔底的4.6倍.电化学方法分析显示,Pd和Pt,Ag和Au的沉积层分别具有类似的开路电位和交流阻抗特性,其中Pd层的溶出电流比其他3种大1个数量级,而阻抗比其他小1个数量级,说明Pd层与硅基底的结合程度好,结合界面导电性好.
- 常彦龙苏旭时雪钊王春明
- 关键词：多孔硅贵金属
- Pt及Cu/_2O纳米薄膜的制备和催化性能分析
- 本硕士学位论文在多孔硅/(PS/)和导电玻璃/(ITO/)基底上,成功制备了Pt和Cu/_2O纳米薄膜;用原子力显微镜/(AFM/)、扫描电子显微镜/(SEM/)研究了所制薄膜材料的形貌学特征:用X射线衍射/(XRD/)...
- 苏旭
- 关键词：电沉积多孔硅甲醇氧化氧化亚铜光电效应
- 文献传递
