蔡芳共
- 作品数：19 被引量：24H指数：4
- 供职机构：西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程更多>>
- 温度控制TiO_2纳米管及管/线复合阵列的制备被引量：4
- 2011年
- 以含有NH4F的乙二醇溶液为电解液,在宽温度范围内（10~70℃）对纯Ti表面进行阳极氧化,制得形貌可控的TiO2纳米结构。利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）和透射电镜（TEM）对纳米TiO2的形貌进行表征。结果表明,随着电解液温度的变化,纳米TiO2的形貌得到控制,可形成TiO2纳米管阵列及纳米管阵列/纳米线复合结构,温度40~50℃为转折温区。
- 蔡芳共杨峰赵勇程翠华
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列复合结构
- Cl掺杂对n-Cu2O的光电性能的影响被引量：4
- 2016年
- 在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段研究了氯掺杂对Cu_2O表面形貌和晶体结构的影响。紫外-可见吸收光光谱确定得到的Cu_2O和Cl掺杂Cu_2O(Cu_2O-Cl)样品的禁带宽度分别为1.98和1.95eV。根据表面光电压谱和相位谱,掺杂前后的Cu_2O均为n型,Cu_2O-Cl有更强的表面光电压响应。场诱导表面光电压谱结果表明未掺杂Cl的Cu_2O在加负偏压时易形成反型层;氯离子的掺杂引入杂质能级可以提高n型导电性。光电化学性能测试发现,以Cu_2O、Cu_2O-Cl为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G、100mW/cm^2标准光强作用下光电转换效率分别为0.12%和0.51%。
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- 关键词：CU2O表面光电压谱光电化学性能
- 退火对TiO_2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响
- 2011年
- 采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化前由于自建场较弱,束缚激子态能在正负电场作用下发生不对称偏转;晶化后,晶体结构从非晶态变为晶态,自建场增强,束缚激子态对正电场敏感并表现出明显的光伏响应,而在负电场作用下束缚激子态没有任何光伏响应.
- 杨峰蔡芳共柯川赵勇程翠华
- 关键词：表面光伏束缚激子
- 一种晶化TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列的制备方法
- 一种晶化TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列的制备方法，其具体作法是：将钛片放入丙酮中进行30-40分钟的超声清洗，风干后，将钛片放入含浓硫酸25-28ml/L，氢氟酸12-15ml/L，冰乙酸50-65ml/L的水...
- 杨峰柯川蔡芳共赵勇
- 文献传递
- CuS/TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能被引量：10
- 2013年
- 利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376～600 nm之间,CuS/TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300～376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.CuS/TiO2和CuS/ITO之间界面电场的不同导致异质结在不同波长范围内表面电荷聚集的差异.光电化学性能测试发现,以CuS/TiO2纳米管异质结阵列为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G,100 mW/cm2标准光强作用下具有0.4%的光电转换能力.
- 柯川蔡芳共杨峰程翠华赵勇
- 关键词：CUS表面光电压谱光电化学性能
- 双通TiO2纳米管阵列膜制备及应用研究
- 2016年
- 双通TiO_2纳米管阵列膜的成功制备可有效提高TiO_2纳米管阵列膜的光催化活性,同时还可扩展其在太阳能电池、气体敏感器等方面的应用,具有很强的实际意义。在大量文献调研的基础上,综述了双通TiO_2纳米管阵列膜的阳极氧化制备方法及其在催化与制氢、氢敏特性、分子过滤等方面的应用进展,并侧重讨论了双通TiO_2纳米管阵列膜的分离机制。最后,对双通TiO_2纳米管阵列膜的后续发展方向和应用前景进行了展望。
- 贾永芳蔡芳共鲁双伟杨峰赵勇
- 关键词：双通
- 一种晶化TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列的制备方法
- 一种晶化TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列的制备方法，其具体作法是：将钛片放入丙酮中进行30-40分钟的超声清洗，风干后，将钛片放入含浓硫酸25-28ml/L，氢氟酸12-15ml/L，冰乙酸50-65ml/L的水...
- 杨峰柯川蔡芳共赵勇
- ZnO/Cu2O异质结中深能级表面光伏特性被引量：2
- 2012年
- 采用恒电压沉积法在导电玻璃(FTO)上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜(FESEM)与X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.利用表面光电压谱(SPS)、场诱导表面光电压谱(FISPS)和相位谱(PS)研究了单一Cu2O与ZnO/Cu2O异质结薄膜的表面光伏性质.结果表明,与单一Cu2O薄膜相比,ZnO/Cu2O异质结薄膜的光伏响应范围拓展到了600～800nm.根据SPS,FISPS和PS的作用原理,拓展部分的光伏响应归因于ZnO/Cu2O异质结中Cu2O层的深能级跃迁,该跃迁在ZnO-Cu2O界面电场(方向由ZnO指向Cu2O)的作用下得到加强,同时深能级跃迁产生的电子-空穴对在ZnO-Cu2O界面电场的作用下得到了有效分离和传输.
- 王蓉史占花蔡芳共杨峰贾永芳黎颖程翠华赵勇
- 关键词：表面光电压谱
- 高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法
- 本发明公开了一种高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法，利用窄带半导体对TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列进行修饰，其特征在于：通过阳极氧化法制得二氧化钛纳米管阵列模板，所得阵列模板经450℃退火3.5小时...
- 杨峰蔡芳共赵勇
- 一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法
- 一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法，其作法是：以钛箔为阳极，铂为阴极，对钛箔进行氧化，得非晶态TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列；经处理后，得TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列；将钛箔置于高温反...
- 杨峰蔡芳共赵勇
