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袁炳辉

作品数：8 被引量：6H指数：2
供职机构：河北工业大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇科技成果
  • 3篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇砷化镓
  • 2篇GAAS
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶体
  • 1篇倒角
  • 1篇导体
  • 1篇对称型
  • 1篇信息服务
  • 1篇液相外延
  • 1篇液相外延层
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇直中
  • 1篇数据库建设
  • 1篇双掺杂
  • 1篇素质教育
  • 1篇中文
  • 1篇中文检索
  • 1篇外延层
  • 1篇文献检索教育

机构

  • 8篇河北工业大学

作者

  • 8篇袁炳辉
  • 5篇杨瑞霞
  • 3篇王林海
  • 2篇邓艺文
  • 2篇张富强
  • 1篇王胜利
  • 1篇赖占平
  • 1篇于海霞
  • 1篇韩瑞平
  • 1篇刘力锋
  • 1篇陈宏江
  • 1篇付浚
  • 1篇张志国
  • 1篇武一宾
  • 1篇何大为

传媒

  • 2篇河北科技图苑
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 1篇1994
  • 1篇1988
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
GaAs基插入结构高击穿电压功率场效应晶体管研制
杨瑞霞袁炳辉何大为武一宾张志国陈宏江
该项目是河北省自然科学基金资助项目。针对目前国产GaAsMESFET击穿电压低的问题，以改善GaAs MESFET击穿特性、提高器件可靠性和稳定性为目的，研究了GaAs MESFET的击穿机理，设计了一种带插入层的MES...
关键词：
关键词：晶体管击穿电压
功率光导开头砷化镓基体材料特性的研究
付浚杨瑞霞袁炳辉王林海于海霞
该项目提出了用化学镀在GaAs表面制备Cu膜的工艺，利用自催化效应、络合剂的作用和镀Cu过程中Cu的还原反应对镀液酸碱度敏感的特性，解决了镀Cu过程中使Cu沉积只发生在GaAs表面、防止相关化学反应中非Cu沉积物在GaA...
关键词：
关键词：砷化镓光导开关
砷化镓基半磁半导体及锰砷纳米粒子制备研究
杨瑞霞袁炳辉张富强刘力锋王胜利邓艺文
该项目通过不同注入和退火条件的组合，实现了对GaAs:MnAs磁性半导体中MnAs粒子生长过程、尺度、密度和分布的控制，制备出铁磁居里温度在320K左右，室温矫顽力在200-600Oe范围的GaAs:MnAs磁性半导体，...
关键词：
用Te、Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵向分布均匀性
1994年
探索用Ｔｅ、Ｓｎ双掺杂实现掺杂剂分布正负梯度互补改善杂质纵向分布均匀性的外延工艺，讨论了有关问题，报道了主要结果。
付袁炳辉杨瑞霞王林海
关键词：砷化镓液相外延载流子浓度
对称型霍尔器件
该实用新型提供了一种新型电子元器件。它是在十字形结构的霍尔器件基础上，在控制电流极上开有对称的两个槽，十字交叉处的四个角是圆弧形的倒角，并有圆弧形的四个定位电极。这种结构的霍尔器件灵敏度高，线性度好，霍尔输出高，可在计算...
付∴王林海袁炳辉
文献传递
液封直拉GaAs单晶拉直中杂质和缺陷的控制
杨瑞霞袁炳辉赖占平邓艺文张富强
该课题通过大量实验，澄清了非掺杂LECGaAs单晶中主要的C源、C的沾污途径和机理，根据C源、沾污途径和相关化学反应研究结果，提出了抑制C沾污的工艺措施；利用加屏蔽罩和增加液封剂厚度的方法使晶体生长后的冷却过程中热应力峰...
关键词：
关键词：单晶体晶体生长
对“文献检索”课的思考被引量：2
2003年
提出了高校现行的“文献检索”课教学内容应作必要的调整 ,以中文检索工具作为入门 ,利用外文检索工具充实扩展 ,加大计算机检索的教学内容 ,不断扩充实习场所。
袁炳辉
关键词：文献检索教育高校计算机检索中文检索素质教育
中文检索期刊的现状及改进意见被引量：4
2001年
简述了中文检索期刊的现状及特点，指出了存在的问题，提出了改进意见。
袁炳辉韩瑞平
关键词：信息服务出版周期数据库建设
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