您的位置： 专家智库 > >

赵永嘉

作品数：7 被引量：3H指数：1
供职机构：湘潭大学更多>>
发文基金：湖南省教育厅科研基金湖南省自然科学基金湖南省教育厅重点项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇雪崩
  • 4篇探测器
  • 4篇紫外探测
  • 4篇紫外探测器
  • 3篇响应度
  • 3篇光电
  • 3篇光电二极管
  • 3篇二极管
  • 3篇感光
  • 2篇雪崩光电二极...
  • 2篇增强型
  • 2篇紫外
  • 2篇馈电
  • 2篇互补型
  • 2篇反馈电阻
  • 2篇反馈电
  • 1篇电路
  • 1篇读出电路
  • 1篇雪崩特性
  • 1篇输入端

机构

  • 7篇湘潭大学

作者

  • 7篇赵永嘉
  • 6篇金湘亮
  • 2篇汪涵
  • 1篇周晓亚

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
单光子雪崩二极管雪崩建立与淬灭的改进模型被引量：2
2012年
对单光子雪崩二极管的雪崩建立与淬灭理论模型进行改进,使雪崩击穿过程中载流子数目能反映雪崩的特点,进而使其理论模型中的负载电阻值与实验所使用的阻值更加接近。通过对载流子增加方式及数量统计的改进,数值仿真表明,模型中负载所用的淬灭电阻可以从原来的8 kΩ提高到100 kΩ,并且雪崩及淬灭所用的时间与实验结果也更加吻合。此外,单光子雪崩二极管两端的反向偏置电压的高低对雪崩脉冲响应的幅度有影响。
周晓亚赵永嘉金湘亮
关键词：盖革模式淬灭负载电阻
一种单芯片集成紫外-红外互补型紫外探测系统
本发明公开了一种单芯片集成紫外-红外互补型紫外探测系统，包括紫外探测器、红外探测器、运算放大器和反馈元件，紫外探测器的阳极与红外探测器的阳极、运算放大器的反向输入端相连，紫外探测器的阴极与外接电源相连，紫外探测器的衬底和...
金湘亮汪涵赵永嘉
文献传递
高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及其制作方法
本发明公开了一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及制作方法。所述光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，n阱上的感光窗口为正八边形同心环或多个正八边形同心环的阵列排布，同心环的掺杂类型为n型和p型相间。本发明的光...
金湘亮赵永嘉
文献传递
一种单芯片集成紫外-红外互补型紫外探测系统
本发明公开了一种单芯片集成紫外-红外互补型紫外探测系统，包括紫外探测器、红外探测器、运算放大器和反馈元件，紫外探测器的阳极与红外探测器的阳极、运算放大器的反向输入端相连，紫外探测器的阴极与外接电源相连，紫外探测器的衬底和...
金湘亮汪涵赵永嘉
文献传递
高性能紫外探测器新结构及其CMOS读出电路研究
紫外探测器是能够选择性吸收紫外波段光谱的探测器件，并将光信号转化为电信号。目前紫外探测系统有灵敏度低、集成度低、体积庞大、功耗高等缺点，本文从解决目前紫外探测器存在的缺点和半导体器件物理出发，基于CMOS工艺特点和已有的...
赵永嘉
关键词：紫外探测器CMOS工艺读出电路雪崩特性
文献传递
叉指状紫外增强型选择性硅光电二极管及其制作方法
本发明公开了一种叉指状紫外增强型选择性硅光电二极管及其制作方法。所述的光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，n阱上的感光窗口为叉指状或叉指状结构的阵列排布，叉指结构的掺杂类型为n型和p型相间。本发明采用叉指结构的阵...
金湘亮赵永嘉
文献传递
高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及其制作方法
本发明公开了一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及制作方法。所述光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，n阱上的感光窗口为正八边形同心环或多个正八边形同心环的阵列排布，同心环的掺杂类型为n型和p型相间。本发明的光...
金湘亮赵永嘉
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0