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赵鑫

作品数：59 被引量：30H指数：3
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：吉林省重大科技成果转化项目吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 33篇激光
  • 27篇激光器
  • 17篇半导体
  • 16篇半导体激光
  • 16篇半导体激光器
  • 10篇光纤
  • 8篇光栅
  • 6篇调制
  • 6篇光束
  • 5篇偏振
  • 5篇供电
  • 5篇光纤激光
  • 4篇三相电
  • 4篇铜损
  • 4篇偏振无关
  • 4篇脉冲
  • 4篇节电
  • 4篇光纤激光器
  • 4篇光纤耦合
  • 4篇高频

机构

  • 59篇长春理工大学
  • 1篇西南技术物理...

作者

  • 59篇赵鑫
  • 42篇马晓辉
  • 38篇邹永刚
  • 29篇张贺
  • 26篇金亮
  • 24篇李洋
  • 23篇徐莉
  • 8篇王海珠
  • 8篇范杰
  • 7篇刘云清
  • 6篇张贺
  • 6篇李洋
  • 6篇石琳琳
  • 5篇杨进华
  • 5篇李岩
  • 5篇田锟
  • 5篇王卫鹏
  • 4篇王勇
  • 3篇周飚
  • 3篇齐志宏

传媒

  • 7篇长春理工大学...
  • 2篇山海经（故事...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇经贸实践

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 8篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 12篇2016
  • 4篇2015
  • 9篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2008
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
大功率半导体激光高频调制电路
本发明公开了大功率半导体激光高频调制电路，涉及激光技术领域。所述大功率半导体激光高频调制电路包括依次连接的直流偏置电路、调制电路和限流保护电路，限流保护电路与调制电路进行了高度集成，结构简单，所述大功率半导体激光高频调制...
徐莉王卫鹏徐英添张贺邹永刚赵鑫李洋金亮马晓辉
文献传递
一种基于掩埋金属掩膜的脊表面光栅制作方法
本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种基于掩埋金属掩膜的脊表面光栅制作方法，包括以下步骤：在基片的指定区域上形成具有光栅图形的掩埋金属掩膜；在掩埋金属掩膜之上形成具有脊波导图形的光刻胶掩膜，并基于光刻胶掩膜刻蚀形成...
范杰刘莹邹永刚王海珠马晓辉石琳琳赵鑫徐英添兰云萍商宇
一种矢量孤子光纤激光器、控制方法及其应用
本发明属于光纤激光器技术领域，涉及一种矢量孤子光纤激光器、控制方法及其应用，激光器包括依次连接的激光发出组件、波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、锁模组件、耦合器以及模式转换组件，模式转换组件包括第二偏振控制器、长周期...
金亮王家柱赵鑫张贺徐英添马晓辉
基于多模光纤偏芯熔接的锁模掺镱光纤激光器
本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种基于多模光纤偏芯熔接的锁模掺镱光纤激光器，包括依次连接的泵浦源、波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、偏振控制器和输出耦合器，波分复用器的输入端与输出耦合器的输出端连接，偏振控制器内...
马晓辉潘伟金亮张贺徐英添李岩王海珠范杰徐莉邹永刚石琳琳赵鑫
文献传递
一种三相节能器交流接触器通断防氧化抗冲击装置
本发明提供的一种三相节能器交流接触器通断防氧化抗冲击装置，由调整线圈1、晶闸管2、交流接触器3、缓冲电路4、次级线圈5、铁芯6、原边线圈7、主控计算机8构成。该装置能够实现节电器中不同档位开关的通断，从而实现节能的效果，...
张赤军刘云清赵鑫
文献传递
棱镜与闪耀光栅复合外腔半导体激光器
棱镜与闪耀光栅复合外腔半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有窄线宽的外腔半导体激光器器件整体尺寸较大；并且，其外腔长度不能精密调节。在本发明之棱镜与闪耀光栅复合外腔半导体激光器中，激光器位于器件的一端，闪耀光栅位于器...
邹永刚田锟张贺徐英添赵鑫金亮李洋徐莉王勇魏志鹏马晓辉
文献传递
In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器量子效率的理论仿真分析被引量：2
2015年
研究了材料参数对In0.53Ga0.47As光电探测器量子效率的影响。分析发现量子效率的变化主要取决于入射光的方向,P区与N区载流子浓度以及各区的表面复合速度和厚度。当光从P区入射时,P区载流子的表面复合速度、载流子浓度以及厚度对量子效率均产生极大的影响。N区材料参数对量子效率也有轻微的影响。在高载流子浓度范围内(n>1017cm-3),表面复合速度和厚度是主要影响因素。当光从N区入射时,载流子浓度n<1017cm-3时,N区表面复合速度为影响量子效率的主要因素;而当载流子浓度n>1016cm-3时,对量子效率产生影响的主要因素为材料厚度。
李丹妮徐英添徐莉邹永刚张贺李洋赵鑫马晓辉侯林宝
关键词：探测器光电探测器量子效率
一种锥形SMS结构的谐波锁模光纤激光器及其控制方法
本发明属于光纤激光器技术领域，公开了一种锥形SMS结构的谐波锁模光纤激光器及其控制方法，锥形SMS结构的谐波锁模光纤激光器中锥形SMS结构与输出耦合器熔接，输出耦合器与波分复用器熔接；波分复用器与掺铒增益光纤熔接，掺铒增...
金亮李晓晖赵鑫张贺徐英添马晓辉
文献传递
一种用于固体激光器的激光增益介质泵浦结构
本发明属于固体激光器技术领域，具体涉及一种用于固体激光器的激光增益介质泵浦结构，其包括泵浦源、导光锥、激光增益介质；泵浦源，用于提供泵浦光；所述导光锥为棱锥台或圆锥台，所述激光增益介质为条状或柱状；所述增益介质的两个端面...
李岩杨博达李卫岩张贺金亮石琳琳徐英添赵鑫邹永刚徐莉马晓辉
文献传递
高性能高质量InGaAs/InGaAsP多量子阱的外延结构及其生长方法和应用
高性能高质量InGaAs/InGaAsP多量子阱的外延结构及其生长方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明提供了InGaAs/InGaAsP多量子阱的外延结构以GaAs/InGaAs/InGaAsP/InGaP为材料体...
王海珠刘伟超范杰邹永刚马晓辉赵鑫李洋李卫岩
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