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阎凤章

作品数：8 被引量：4H指数：1
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇光电
  • 2篇电晶体
  • 2篇多层膜
  • 2篇性能研究
  • 2篇通信
  • 2篇离子注入
  • 2篇晶体管
  • 2篇光电晶体管
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤通信
  • 2篇FE
  • 2篇穿通
  • 2篇穿通型
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅发射极
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇再结晶
  • 1篇增益

机构

  • 7篇北京师范大学
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 8篇阎凤章
  • 5篇李国辉
  • 2篇朱红清
  • 2篇王佩璇
  • 2篇李胜利
  • 2篇杨茹
  • 2篇马如璋
  • 1篇任永玲
  • 1篇王葵如
  • 1篇吴瑜光
  • 1篇张通和
  • 1篇王晓慧
  • 1篇王文勋
  • 1篇仁永玲
  • 1篇罗晏
  • 1篇张海廷

传媒

  • 6篇北京师范大学...
  • 1篇金属学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1987
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究
2000年
研究了一种光纤通讯用光电探测器。在GaAs上蒸镀800nm的Ge，并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管（SAM－APD）的结构设计，采用GaAs作为倍增区，Ge作为吸收区。在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V，反向击穿电压为2.5V，漏电不明显，p－n结特性良好。
杨茹李国辉仁永玲阎凤章朱红清
关键词：雪崩光电二极管光纤通信
GaAs上Ge薄膜的性能研究
2001年
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀 80 0nmGe ,Ge薄膜在 50 0℃以上退火有再结晶过程 ,退火后由非晶变成多晶 .在Ge和GaAs界面处有互扩散 ,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度 p型 ,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致 .
杨茹任永玲李国辉阎凤章朱红清
关键词：再结晶光纤通信光电材料
穿通型光电晶体管的直流特性测试被引量：1
1994年
在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半导体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３～１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光电增益为７１１３，４０～５０ｎＷ光功率时光电增益为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。
阎凤章李国辉韩卫
关键词：光电晶体管穿通高增益直流特性
质子与Ti离子注入LiNbO_3光波导
1994年
用１８０～３８０ｋｅＶ质子注入ＬｉＮｂＯ３造成折射率减小的埋层，以形成近表面处的平面波导；用３５０ｋｅＶ高注量Ｔｉ离子注入增加折射率，在注入区形成平面波导；用不同能量质子叠加注入，退掉由Ｔｉ内扩散制成的波导层。离子注入能在纵向与横向上改变ＬｉＮｂＯ３的折射率剖面分布，可用于制作集成光学器件。
阎凤章张海廷王葵如
关键词：离子注入铌酸锂
Ar^（＋）混合Fe－Dy多层膜的结构及性能
1994年
用真空双源蒸镀法在Ｓｉ单晶衬底上制备了Ｆｅ，Ｄｙ原子数比为３：２的Ｆｅ─Ｄｙ成分调制多层膜．用ＡＥＳ、ＲＢＳ、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）以及磁性测量分析了Ａｒ^（＋）混合前后Ｆｅ─Ｄｙ多层膜的相交．Ａｒ^（＋）离子注入能量１１０ｋｅＶ，剂量５×１０^（１５）─１×１０^（１７）／ｃｍ~２．结果表明，注入剂量为１×１０^（１７）／ｃｍ~２时，Ｆｅ，Ｄｙ完全混合，并且由晶态的Ｆｅ，Ｄｙ完全转变为Ｆｅ_（６０）Ｄｙ_（４０）（近似于该化学配比）的非晶态合金，随Ａｒ^（＋）注入量的增加，Ｆｅ一Ｄｙ多层膜的Ｍ_ｓ下降，在剂量５０×１０^（１５）／ｃｍ~２时下降幅度最大。
李胜利王佩璇阎凤章马如璋
关键词：离子束混合
离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究被引量：1
1987年
利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场.
张通和李国辉阎凤章罗晏吴瑜光王文勋
关键词：快速热退火浅结
新结构多晶硅发射极光电晶体管
1997年
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度．已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下，对0．8μm，0．174μW的光增益达到了3083．
王晓慧李国辉阎凤章
关键词：多晶硅发射极穿通型
超高真空制备的Fe－稀土多层膜的研究被引量：2
1995年
在超高真空条件下（１０－７Ｐａ）蒸发沉积Ｆｅ－Ｙ和Ｆｅ－Ｄｙ成分调制多层膜。短周期（３～７ｎｍ）膜用于结构与热稳定性研究；长周期（２０～５０ｎｍ）膜用于离子束混合非晶化研究。Ｆｅ单层厚≥２．４ｎｍ时为体心立方（ｂｃｃ）结构，无明显择优取向。Ｄｙ单层厚＞２．４ｎｍ时为六角密集（ｈｃｐ）结构，非晶沉积态经３００℃加热开始晶化，６００℃退火完全转变为ｂｃｃ结构Ｆｅ和ｈｃｐ结构Ｄｙ（ｈｃｐ结构Ｙ）．２００℃等温退火，磁化强度随时间而增加，温度越高增加速率越大。用９０～１２０ｋｅＶ的Ａｒ＋在室温下进行长周期多层膜的离子束混合。在１×１０１７ｃｍ－２注量达到均匀混合，且导致非晶化，平均成分为Ｆｅ６０Ｄｙ４０的膜无残余晶态。离子束混合还导致磁性变化，饱和磁化强度随注量增加而下降。
阎凤章李胜利王佩璇马如璋
关键词：多层膜铁稀土
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