陈达贵
- 作品数：32 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金福建省科委基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程环境科学与工程一般工业技术更多>>
- 同构偏硼酸盐CaB2O4、SrB2O4的光谱研究
- 非线性光学材料领域是近年来研究工作的热点,无机物中碘酸盐、磷酸盐、鈮酸盐等是早期非线性光学材料的主要研究对象。硼酸盐被认为是一种强光材料的来源及其良好的物化性能,特别是相对较高的能量损伤阈值、能应用于固体激光器UV光源的...
- 王海侠张浩程文旦陈达贵吴东升
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- 水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法
- 本发明公开了一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法。所述的矿化剂为氯化铵和溴化铵的混合物，其中溴化铵的含量为0～90%之间，该矿化剂溶于水所形成的水溶液可以应用于水热法生长CuI晶体，生长的CuI晶体为...
- 陈达贵黄丰林璋黄嘉魁
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- 酞菁Al(Pc)F和Ga(Pc)Cl的三阶非线性光学效应的理论研究
- 用Gaussian98程序,应用从头算方法在HF/3-21G水平上对Al(Pc)F和Ga(Pc)Cl进行几何优化.应用含单电子和双电子激发组态相互作用的半经验自洽场(SCF)分子轨道(MO)方法(INDO-SDCI)对几...
- 吴东升程文旦张浩陈达贵王海侠
- 关键词：酞菁金属化合物电子结构
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- 一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法
- 本发明公开了一种P型导电性的CuI单晶体及其水热生长方法。生长的CuI晶体为γ相，是直接带隙的P型导电性半导体。利用低温水热法实现具有P型导电性优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以作为P型半导体衬底单晶用于宽禁带半...
- 陈达贵林文文黄丰王永净林璋
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- 避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法
- 本发明提供一种避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法。该方法将有裂纹或凹坑的ZnO籽晶晶面上镀上一层平整的金属膜，然后将籽晶放置于水热生长设备中进行生长。这种处理方法可确保籽晶上的缺陷无法外延到新的晶体生长层，新...
- 林文文黄丰陈达贵黄顺乐林钟潮黄嘉魁
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- 钒异金属簇合物的设计合成和结构研究
- 含硫过渡金属簇合物近几十年来一直是化学领域的一个研究热点.[MS<,4>]<'n->(M=Mo,W,n=2;M=V,n=3)作为含硫双齿螯合配体可以与许多过渡金属离子反应形成簇合物.在化学模拟生物固氮研究的推动下,关于M...
- 陈达贵
- 关键词：晶体分子结构谱学性质
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- [PMo_9V_3O_(40)]^(6-)硫代物的合成及光谱研究被引量：1
- 2000年
- 通过H2 S与杂多化合物 (NH4 ) 4H2 [PM9V3 O4 0 ]·10H2 O在DMF中反应合成了其硫代产物 。
- 陈达贵张汉辉杨融生孙瑞卿杨齐瑜余秀芬
- 关键词：杂多化合物光谱
- 一种MgZnO薄膜的制备设备系统和方法
- 本发明涉及一种MgZnO薄膜，尤其是一种用于制备紫外探测器的MgZnO薄膜的磁控溅射系统和方法。磁控溅射系统包括生长腔(1)，真空系统(2)，安放衬底的基片架(3)，2个溅射电极(4)、(5)，电子枪(6)和混气室(7)...
- 黄丰郑清洪陈达贵湛智兵丁凯黄瑾
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- 具有Keggin结构的多元杂多化合物的合成与光谱研究被引量：11
- 2000年
- 本文合成了一些具有Keggin结构的P—V—Mo—W四元杂多阴离子 [PVxMoyW12 x yO4 0 ](3 +x) -的化合物 (其中 ,x =1,2和 3) ,并对其进行红外和拉曼光谱研究 ,可看到化合物的νas(M =Od)、νas(M—Ob—M)和νas(M—Oc—M )的红外伸缩振动峰随着V原子数目的增加而红移 ;而钨原子数目的增加一般使之蓝移 ,但在所研究的PV2 Mo9W和PV3 Mo8W杂多化合物却出现略为反常的情况。分别通过 νas(M=Od)、νas(M -Ob-M )伸缩振动峰峰位 ,可推测含单钒、双钒、三钒杂多化合物的酸性、氧化反应性能的大小。
- 林郑忠张汉辉杨融生孙瑞卿余秀芬陈达贵赵士龙郑晓玲
- 关键词：杂多化合物光谱钒钼钨
- V-Bi复合氧化物的合成和光谱研究
- 该文采用凝胶溶胶法和微波制备法合成了K-Bi复合氧化物，用FTIR，NIR FT-Raman和XRD对其进行研究。
- 孙瑞卿张汉辉辜晓燕杨融生余秀芬杨齐愉陈达贵
- 关键词：XRD傅里叶变换红外光谱
- 文献传递
