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齐海涛

作品数：14 被引量：25H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 6篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇籽晶
  • 4篇PVT
  • 4篇ALN
  • 3篇单晶
  • 3篇碳化硅
  • 2篇衬底
  • 1篇单晶生长
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇断裂面
  • 1篇形核
  • 1篇形貌分析
  • 1篇摇摆曲线
  • 1篇英寸
  • 1篇应力
  • 1篇致密
  • 1篇生长速率
  • 1篇数值模拟
  • 1篇碳化
  • 1篇透过率

机构

  • 14篇中国电子科技...
  • 1篇深圳大学

作者

  • 14篇齐海涛
  • 10篇史月增
  • 10篇张丽
  • 9篇程红娟
  • 6篇金雷
  • 5篇徐永宽
  • 4篇洪颖
  • 3篇王利杰
  • 3篇郝建民
  • 2篇王香泉
  • 2篇张志欣
  • 1篇刘金鑫
  • 1篇赖占平
  • 1篇张嵩
  • 1篇张颖武
  • 1篇练小正
  • 1篇李宝珠
  • 1篇徐世海
  • 1篇李强

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
不同颜色AlN单晶缺陷研究被引量：3
2018年
通过物理气相传输(PVT)法在石墨系统中制备了绿色、无色和琥珀色氮化铝(Al N)单晶,在金属系统中制备了琥珀色Al N单晶。晶体中杂质含量测试结果表明石墨系统中琥珀色的Al N晶体比绿色和无色Al N晶体C、Si杂质含量低1~2个数量级,金属系统中琥珀色Al N晶体杂质含量最低,C、Si、O元素含量均在1018cm-3级别。Al N晶体的吸收图谱和光致发光图谱的分析结果表明,Al N晶体存在着位于4.7 e V、3.5 e V、2.8 e V、1.85 e V的4个吸收峰,其中4.7 e V和3.5 e V的吸收峰导致了Al N吸收截止边的红移,该吸收峰分别源于碳占氮位(CN)的点缺陷和VAl与O杂质的复合缺陷,2.80 e V的吸收峰导致了Al N晶体的琥珀色,该吸收峰是C元素和O元素共同导致的,1.85 e V的吸收峰导致了Al N晶体的绿色,该吸收峰是Si元素和C元素导致的。
徐永宽金雷程红娟史月增张丽齐海涛
K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响
2015年
采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl进行掺杂。显微观察显示,掺杂KCl后Cd S晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中。红外光谱透过率发现掺杂K元素的Cd S晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~10μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%。另外,K元素掺杂Cd S晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/（V·s）下降为146 cm2/（V·s）。
练小正齐海涛张颖武司华青程红娟徐永宽
关键词：硫化镉单晶
HVPE反应室内流场数值模拟及分析
本文以HVPE设备和基本结构为基础，结合CFD计算机模拟技术，讨论并分析了现有HVPE反应室内在H2环境中和N2气环境中，炉内流场的特点、涡流的分布和随流量变化的趋势。可以看出H2环境中流场具有对称性，流场内的扰动范围主...
程红娟徐永宽张嵩齐海涛
物理气相传输法制备大面积AlN单晶被引量：13
2013年
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶表面特征。Raman光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性好,无杂质相,为典型的2H单晶晶型,生长面为标准的c面正晶向。
齐海涛洪颖王香泉王利杰张志欣郝建民
1英寸AlN晶体及性能测试
深紫外发光二极管、深紫外激光器、日盲紫外探测器等器件在紫外杀菌、光刻技术和国防领域等具有十分重要的应用[1,2]。作为最重要的紫外器件功能层,氮化铝镓外延层的衬底材料一般选取蓝宝石或硅,然而,蓝宝石或硅衬底与 AlGaN...
金雷程红娟史月增齐海涛张丽
关键词：衬底材料位错密度透过率
偏晶向SiC籽晶上生长的AlN单晶被引量：2
2013年
采用物理气相传输法在自制[0001]偏8°晶向6H-SiC衬底上制备了直径42 mm、厚度320μm的连续AlN单晶层,c轴方向生长速率为32μm/h。AlN单晶层具有明显鱼鳞状宏台阶流生长表面特征。裂纹完全单向平行分布,且与台阶走向一致,其成因与台阶对热应力的吸收作用有关。未发现明显的穿线缺陷。发现AlN-SiC界面存在双角锥空腔,其起因是生长初期界面处未被AlN完全密实覆盖的微小区域,在生长过程中因内部温差不断发生的升华和凝华的自我调制过程。喇曼光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性较好,(0002)面X射线摇摆曲线半高宽为76 arcsec,喇曼光谱E1(TO)模的半高宽为7.5 cm-1。
齐海涛王利杰洪颖王香泉张志欣郝建民
关键词：氮化铝形貌分析
SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理被引量：2
2019年
采用物理气相传输法在SiC异质籽晶上制备了AlN单晶。通过Raman光谱仪、X射线衍射仪、二次离子质谱仪和X射线光电子能谱研究了AlN单晶的结晶质量和杂质成分,针对不同的杂质成分提出了相应的处理方式。结果表明:C、O为AlN单晶中的主要杂质元素,其中C元素为非故意掺杂,与AlN单晶的生长环境密切相关,随着生长晶体厚度的增加,C杂质元素的含量逐渐降低。而O元素除了源粉和生长系统中吸附氧外,还与抛光过程中形成的氧化物层有关;经腐蚀和退火处理,AlN表面氧化物的含量大幅降低,N/Al摩尔比接近1;经杂质处理后的AlN单晶片可作为同质生长的籽晶。
张丽齐海涛程红娟金雷史月增
衬底温度对PVT法生长AlN晶体自发形核的影响被引量：1
2017年
通过热力学理论对物理气相传输(PVT)法AlN晶体生长过饱和度进行分析,分别从软件模拟和晶体生长实验对衬底表面的温度分布进行调控,进而控制衬底表面AlN晶体生长的驱动力。理论上,采用Comsol模拟软件对坩埚结构的温度分布进行模拟仿真,模拟结果表明:复合型衬底可以显著改变衬底表面的温度分布,达到改变衬底表面AlN气氛的过饱和度的目的;实验上,采用PVT法AlN晶体的生长实验验证了软件模拟结果。采用复合型衬底生长AlN晶体时,通过对衬底表面的温度分布调控可有效控制晶体生长驱动力,进而实现形核位置和形核数量的控制。经过6~8 h AlN晶体生长后,可获得尺寸约为12 mm、厚度约为3 mm的AlN单晶。喇曼光谱和XRD双晶摇摆曲线测试结果表明晶体质量良好。
史月增金雷齐海涛张丽程红娟徐永宽
关键词：驱动力形核
m面AlN单晶自发成核生长表征
2019年
采用金属系统物理气相传输(PVT)法自发成核方式,生长获得长宽均大于1 cm、厚度为毫米量级的m面AlN单晶块体。通过对不同m面AlN单晶生长宏观形貌、微观表面的测试分析,初步可判定其生长存在单核生长和多核生长两种模式。并将m面AlN晶体生长过程分为3个阶段,分别为生长中心形成阶段、生长阶段和生长台阶并组阶段。第一性原理计算表明,每生长一层(4个)Al-N基元的m面和c面AlN晶体释放的能量分别为2.76 eV和8.64 eV,通过对衬底厚度的调节可以初步控制m面AlN晶体的成核概率。以此为依据进行m面AlN单晶接长实验,获得了12 mm×20 mm尺寸的m面AlN单晶,最大厚度达5 mm,为进一步籽晶生长和器件制备提供技术及理论基础。
程红娟金雷史月增赵堃张丽齐海涛赖占平
关键词：表面形貌自发成核
高温化学气相沉积法制备致密碳化钽涂层被引量：4
2017年
采用高温化学气相沉积法(CVD)在高纯高密石墨基片的表面沉积了碳化钽(TaC)涂层。通过研究气化温度、气体流量及沉积温度对TaC涂层表面质量的影响,确定了高温CVD法制备TaC涂层的工艺参数,最终获得高致密度的TaC涂层。
张丽齐海涛徐永宽王利杰史月增刘金鑫
关键词：TAC涂层
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