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Cu-In膜的相结构对CuInSe_2薄膜性能的影响被引量：12: 2004年; 为考察溅射功率对Cu-In薄膜中相结构以及相应的CuInSe2(简称CIS)薄膜性能的影响,采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态硒化方法形成CIS薄膜。采用SEM和EDX观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硒化中的反应动力学过程。结果表明,在不同的溅射功率条件下,Cu-In预制膜以Cu11In9相或Cu11In9和CuIn的混合相存在。由Cu11In9和CuIn混合相薄膜形成的CIS薄膜具有单一的CuInSe2相黄铜矿相结构,且其成分接近CuInSe2化学计量比。而由Cu11In9相Cu-In预制膜形成的CIS薄膜中除了CuInSe2相以外,还出现了Cu2Se相,且其成分远离CuInSe2化学计量比。因此,具有Cu11In9和CuIn混合相结构的Cu-In薄膜更适合制备CIS太阳电池吸收层。; 方玲张弓庄大明赵明郑麒麟丁晓峰吴敏生; 关键词：太阳能电池磁控溅射

Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响被引量：7: 2004年; 为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2(CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层。采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构。结果表明:Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区;在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS,且晶体结构为单一的黄铜矿相。CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2kΩ.cm。; 方玲张弓庄大明赵明郑麒麟丁晓峰吴敏生; 关键词：太阳能电池 CIS

铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法: 本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，是在钠钙玻璃Mo衬底上，先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层，再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuI...; 张弓庄大明丁晓峰韩东麟查杉; 文献传递

硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响: 本文采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CIS薄膜,考察了硒化温度对CuInSe(简称CIS)薄膜性能的影响。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织...; 丁晓峰韩东麟张弓庄大明; 文献传递

硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响: 采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对 CIS薄膜性能的影响。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构...; 丁晓峰韩东麟张弓庄大明; 关键词：太阳能电池磁控溅射; 文献传递

硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响被引量：1: 2006年; 采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对CIS薄膜性能的影响.采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明,Cu-In薄膜由In和Cu11In9两相组成,在不同的硒化温度下制备的CIS薄膜,均具有单一的黄铜矿CuInSe2相结构.随着硒化温度的升高,CIS薄膜的晶粒直径增大,当硒化温度达到550℃时,晶粒直径已接近于2 μm.硒化温度继续升高,晶粒之间出现孔洞和缝隙等缺陷.530℃的硒化温度下制得的弱p型CIS薄膜,最符合CuInSe2的化学计量比,最适于制备太阳能电池吸收层.; 丁晓峰韩东麟张弓庄大明; 关键词：CUINSE2 太阳能电池磁控溅射

铜铟镓硒或铜铟镓硫或铜铟镓硒硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法: 本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，是在钠钙玻璃Mo衬底上，先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层，再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuI...; 张弓庄大明丁晓峰韩东麟查杉; 文献传递

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丁晓峰