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倪贤锋

作品数：9 被引量：16H指数：3
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 5篇GAN
  • 3篇氮化镓
  • 3篇衬底
  • 2篇地压
  • 2篇形貌
  • 2篇石英
  • 2篇汽相沉积
  • 2篇高真空
  • 2篇硅衬底
  • 2篇反应气体
  • 2篇SI衬底
  • 2篇GAN外延生...
  • 2篇MOCVD
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇氮化镓材料
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇淀积
  • 1篇多量子阱
  • 1篇新型装置

机构

  • 9篇浙江大学

作者

  • 9篇倪贤锋
  • 8篇叶志镇
  • 7篇赵浙
  • 7篇朱丽萍
  • 6篇赵炳辉
  • 3篇洪炜
  • 3篇唐海平
  • 2篇黄靖云

传媒

  • 2篇材料导报
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2005
  • 5篇2004
  • 3篇2003
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
立式高真空MOCVD系统及GaN外延生长与应用
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生长出高质量的GaN晶体薄膜.在蓝宝石衬底上生长出n、...
叶志镇朱丽萍赵炳辉倪贤锋赵浙
关键词：MOCVD系统GAN
文献传递
MOCVD方法生长硅基GaN与Al/_xGa/_（1-x）N薄膜及其性能研究
近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用前景。常规的氮化镓基器件通常是制作在蓝宝石上的。然而，由于蓝宝石衬底自身绝缘且硬度大，器件工艺...
倪贤锋
关键词：氮化镓薄膜薄膜晶体硅衬底MOCVD方法
文献传递
Si衬底上MOCVD生长GaN的研究
运用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构GaN.SEM测试微裂纹密度较低,裂纹间距在100ìm以上.x射线衍射的(0002)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)为560arcsec.用拉曼光谱表征样...
唐海平叶志镇朱丽萍赵炳辉洪炜倪贤锋赵浙
关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓
文献传递
硅衬底GaN基LED研究进展被引量：4
2005年
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来,随着工艺的发展,GaN 晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在Si 衬底上制造出 LED。介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。
洪炜朱丽萍叶志镇唐海平倪贤锋赵浙
关键词：硅衬底光电集成GAN薄膜SI衬底失配
立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备被引量：1
2004年
自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置 ,能够较好的调节反应气体的流动状态 ,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型GaN以及多量子阱多层结构材料 ,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管 ,性能良好 ,具有实用价值。
朱丽萍叶志镇赵炳辉倪贤锋赵浙
关键词：MOCVDGAN多量子阱
一种化学汽相沉积装置
本实用新型的化学汽相沉积装置包括用闸板阀连通的生长室和进样室，生长室中有旋转的水平样品盘，其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道，生长室的侧壁设置水平主气路管道，在副气路管道的出气口连接一锥形石英罩。工作时，...
叶志镇赵炳辉倪贤锋赵浙黄靖云朱丽萍
文献传递
氮化镓材料中的位错对材料物理性能的影响被引量：8
2003年
氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素。目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点。扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响:非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命。并简要介绍了减少GaN外延层中的位错密度的几种方法。
倪贤锋叶志镇
关键词：氮化镓材料物理性能位错GAN半导体材料
快速热退火对p型GaN电学性质的影响
利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10<'18>cm<'-13>,迁移率5.54cm<'2>/Vs,电阻率0.144Ωcm<...
洪炜朱丽萍叶志镇唐海平赵浙倪贤锋赵炳辉
关键词：快速热退火GAN电学性质MOCVD
文献传递
金属有机化合物汽相沉积装置
本发明的金属有机化合物汽相沉积装置包括用闸板阀连通的生长室和进样室，生长室中有旋转的水平样品盘，其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道，生长室的侧壁设置水平主气路管道，在副气路管道的出气口连接一锥形石英罩。工...
叶志镇赵炳辉倪贤锋赵浙黄靖云朱丽萍
文献传递
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