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刘海涛

作品数：4 被引量：8H指数：1
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系功率器件研究所更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇功率器件
  • 1篇电路
  • 1篇阳极短路
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇碳化硅
  • 1篇金刚石
  • 1篇禁带
  • 1篇晶体管
  • 1篇宽禁带
  • 1篇集成电路
  • 1篇高压集成电路
  • 1篇功率
  • 1篇刚石
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体功率器...
  • 1篇IGBT
  • 1篇MOSFET
  • 1篇MOS器件
  • 1篇垂直型

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇刘海涛
  • 4篇陈启秀

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 3篇1999
  • 1篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
宽禁带半导体功率器件被引量：6
1999年
阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
刘海涛陈启秀
关键词：宽禁带半导体功率器件功率器件碳化硅金刚石
一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT被引量：1
1999年
提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ 晶体管，使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ 双极晶体管的混合特性，在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ 的ＭＯＳＧＣＴ 进行二维数值分析，其结果表明ＭＯＳ－ＧＣＴ的电流密度比ＤＭＯＳ提高４５％ ，且关断时间小于１００ｎｓ．
刘海涛陈启秀白玉明
关键词：MOSFET
阳极短路垂直型IGBT的优化模型被引量：1
1999年
提出了一种阳极短路垂直型ＩＧＢＴ的优化设计模型，阐述了导通压降、关断时间及闭锁电流之间的折衷关系。该模型为阳极短路ＩＧＢＴ的设计提供了一种有效的方法。
刘海涛陈启秀
关键词：功率器件IGBT阳极短路双极晶体管
横向高压功率器件的进展
1998年
由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。
刘海涛陈启秀
关键词：功率器件高压集成电路MOS器件
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