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机构

  • 7篇中山大学

作者

  • 7篇刘雅晶
  • 6篇吴曙翔
  • 6篇李树玮
  • 3篇李新宇
  • 3篇许灵敏
  • 3篇邢祥军
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传媒

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年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Mn_(0.1)Ti_(0.9)O_(2-δ)稀磁半导体薄膜的MBE生长及表征被引量:2
2007年
采用OPA-MBE方法在SrTiO3(STO)衬底上成功制备了Mn0.1Ti0.9O2-δ(MTO)稀磁半导体薄膜.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、紫外可见光分度计以及直流四探针测试仪研究了薄膜的晶体结构、化学组成、光吸收和电荷输运性质.MTO薄膜具有锐钛矿和金红石的混合相,光吸收带边界发生“红移”,电荷输运性质明显提高,室温环境下电阻率仅为37.5Ω.m.
夏延秋吴曙翔刘雅晶于晓龙李树玮
关键词:稀磁半导体X射线光电子能谱
稀磁半导体TiMnO_2分子束外延生长和磁学性质
用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO_2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn~(2+)与缺陷之间存在相互作用。与...
李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军
关键词:分子束外延室温铁磁性
文献传递
一种堆垛交叉阵列的存储结构及其制备方法
本发明公开了一种堆垛交叉阵列的存储结构,包括衬底,该衬底上镀有第一条状电极,在未镀有第一条状电极的衬底及第一条状电极上形成具有电阻开关效应的材料薄膜,该薄膜上设有与第一条状电极相交叉的第二条状电极,该薄膜包括设置在衬底上...
刘雅晶吴曙翔李树玮
文献传递
稀磁半导体TiMnO_2分子束外延生长和磁学性质
2008年
用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷的Mn∶TiO2薄膜不同的是,具有好的结晶质量的Mn∶TiO2薄膜没有磁性,这说明室温稀磁性质与材料的结构缺陷具有很大的联系。
李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军
关键词:分子束外延室温铁磁性
稀磁半导体TiMnO2(Mn:TiO2)分子束外延生长和磁学性质
本文用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+离了与缺陷之间存在相互作用。与...
李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军
关键词:稀磁半导体二氧化钛薄膜分子束外延室温铁磁性锰掺杂
文献传递
氮化锰薄膜的分子束外延生长及磁性表征
本文研究了利用氮等离子体辅助的分子束外延设备制备的一系列氮化锰薄膜Mn3N2、Mn2N、Mn4N的磁性能。通过RHEED、XRD、XPS、SEM、AFM以及SQUID等手段对薄膜的结构和性能进行了测量和分析,结果发现,在...
刘雅晶
关键词:分子束外延分子束外延生长
文献传递
一种堆垛交叉阵列的存储结构及其制备方法
本发明公开了一种堆垛交叉阵列的存储结构,包括衬底,该衬底上镀有第一条状电极,在未镀有第一条状电极的衬底及第一条状电极上形成具有电阻开关效应的材料薄膜,该薄膜上设有与第一条状电极相交叉的第二条状电极,该薄膜包括设置在衬底上...
刘雅晶吴曙翔李树玮
文献传递
共1页<1>
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