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卓宁

作品数:60 被引量:11H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 50篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 26篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 41篇激光
  • 39篇激光器
  • 30篇量子级联
  • 25篇量子级联激光...
  • 20篇量子
  • 17篇波导
  • 11篇波长
  • 10篇半导体
  • 9篇量子点
  • 9篇光栅
  • 9篇红外
  • 8篇电极
  • 8篇源区
  • 8篇半导体激光
  • 8篇半导体激光器
  • 8篇半绝缘
  • 6篇衬底
  • 5篇级联
  • 5篇发光
  • 4篇单片

机构

  • 60篇中国科学院
  • 6篇中国科学院大...
  • 2篇北京量子信息...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国船舶重工...

作者

  • 60篇刘峰奇
  • 60篇卓宁
  • 60篇张锦川
  • 53篇王利军
  • 53篇刘俊岐
  • 42篇翟慎强
  • 41篇刘舒曼
  • 28篇王占国
  • 9篇梁平
  • 9篇胡颖
  • 6篇李媛媛
  • 4篇闫方亮
  • 4篇李远
  • 3篇陈涌海
  • 3篇王东博
  • 3篇于天
  • 2篇王涛
  • 2篇骆军委
  • 2篇李路
  • 2篇邵烨

传媒

  • 3篇光子学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 4篇2024
  • 9篇2023
  • 12篇2022
  • 9篇2021
  • 5篇2020
  • 6篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
60 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构
一种改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构,该封装结构包括:热沉;第一金属层;第二金属层;次级热沉其上设有倒梯形凹槽;太赫兹半导体激光器,包括衬底;第二掺杂层;呈梯形结构的有源区;第一掺杂层,作为激光器负电极的电注入...
赵方圆李利安刘俊岐刘峰奇张锦川翟慎强卓宁王利军刘舒曼
文献传递
掩埋异质结器件及其制备方法
本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法,该方法包括:在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层;在第一二氧化硅层上制作填充窗口;将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面,形成沟槽并填充掩埋材料;通过腐蚀形成辅助...
马钰李媛媛李伟江梁平胡颖刘俊岐王利军张锦川刘舒曼卓宁翟慎强刘峰奇
一种量子级联激光器
本发明提供一种量子级联激光器,包括由下至上依次设置的衬底、下波导层、下限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上限制层以及上波导层;其中,所述量子级联激光器包括两个布拉格反射镜以及两个增益区,两个所述布拉格反射镜以及两个...
管延娇王利军卓宁张锦川翟慎强刘舒曼刘俊岐刘峰奇
一种双面散热量子级联激光器器件结构
本发明公开了一种双面散热量子级联激光器器件结构,包括:衬底;有源区,其均匀生长在衬底的上表面;上波导,其均匀生长在有源区的上表面;正面金属电极层,其均匀生长在上波导上表面;热沉,其与器件的上波导层通过所述正面金属电极层键...
闫方亮张锦川刘峰奇卓宁刘俊岐王利军王占国
文献传递
界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究
2024年
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格是中红外谱段光电子器件的核心结构,其Ⅱ型能带排列特点使电子、空穴在实空间分离而跨过界面,其非公共原子构型使得界面态丰富。我们在Burt-Foreman包络函数理论的基础上,讨论了不同界面态对超晶格电子能态和波函数的调控作用。理论计算表明,超晶格缓变界面和界面势两种不对称界面态分布,都会导致重空穴带的自旋劈裂,而只有施加界面势时才会使得轻空穴带发生自旋劈裂。此外,研究了改变阱宽和改变势垒时超晶格体系带隙的变化趋势。结果表明,随着势垒厚度增大,陡峭界面和缓变界面两种界面态下的带隙计算结果逐渐降低,并且随着厚度增加带隙趋于收敛,而界面势下的带隙计算结果随着势垒厚度的增大而增大,与前两者呈现相反的趋势,这为中红外超晶格器件的精确设计提供了可参考的理论基础。
马泽军李远朱申波程凤敏刘俊岐刘俊岐翟慎强王利军陈涌海翟慎强刘舒曼卓宁
关键词:锑化物超晶格界面态
波长6微米的激光器的有源区和激光器
本公开实施例提供了一种波长6微米的激光器的有源区和激光器。该有源区包括:多个周期级联的子有源区;其中,每个周期的子有源区包括:第一注入区,第一注入区包括第一注入势垒;发光区,发光区包括:至少五个第一量子阱,位于上方的第一...
程凤敏张锦川卓宁翟慎强王利军刘俊岐刘舒曼刘峰奇
文献传递
一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法
本发明公开了一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法。该材料结构包括:掺杂锑源的量子点有源区结构,该量子点有源区结构包括:自下而上生长的浸润层、量子点层和盖层;进一步包括在衬底上生长缓冲层、下限制层、上述量子点有...
王东博卓宁张锦川刘峰奇王占国
文献传递
光反馈结构及其封装方法
本公开提供了一种光反馈结构及其封装方法,包括太赫兹量子级联激光器和高阻硅超球镜,所述高阻硅超球镜的入射平面的中心位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内,所述高阻硅超球镜的入射平面用于收集所述太赫兹量子级联激光器发出的激光...
李媛媛刘俊岐刘峰奇骆军委翟慎强张锦川卓宁王利军刘舒曼梁平胡颖
文献传递
带间级联激光器外延结构、激光器、芯片及制备方法
本公开提供了一种带间级联激光器外延结构,所述带间级联激光器外延结构包括在衬底上依次生长的缓冲层、下超晶格包层、下分别限制层、有源层、上分别限制层、上超晶格包层和盖层,所述盖层采用厚度大于10nm,且与所述衬底材料晶格匹配...
宁超孙瑞轩刘舒曼张锦川王利军刘俊岐卓宁翟慎强刘峰奇
环形外腔带间级联激光器及其制备方法
本发明提供一种环形外腔带间级联激光器及其制备方法,包括:带间级联激光器;在带间级联激光器的前腔面侧镀上一层减反膜;带间级联激光器的前腔面侧和后腔面侧分别设置有前腔面直透镜和后腔面直透镜;闪耀光栅,设置于前腔面直透镜的前腔...
鹿希雨管延娇孙瑞轩刘舒曼刘俊岐王利军刘峰奇张锦川翟慎强卓宁
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