卢德新
- 作品数：23 被引量：62H指数：6
- 供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程电气工程更多>>
- 过量PbO对PLZT（14／0／100）薄膜结构和性能的影响
- 1996年
- 采用Ｘ射线结构分析方法，对磁控溅射法制备的含过量ＰｂＯ的ＰＬＺＴ（１４／０／１００）薄膜在退火过程中的晶化行为进行了研究。结果表明，薄膜中过量的ＰｂＯ具有促进钙钛矿结构形成，降低晶化温度，并且抑制焦绿石相生长的作用。铁电性能测试结果表明，ＰｂＯ的过量能改善铁电薄膜的耐击穿性，但过量太多的ＰｂＯ会导致薄膜铁电性能变坏。
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- 关键词：铁电薄膜磁控溅射法钙钛矿相
- 铁电PLZT薄膜退火工艺的研究被引量：3
- 1994年
- 在无氧气氛下，采用射频磁控溅射法制备了ＰＬｚＴ系列薄膜，对原位溅射薄膜进行了快速退火及常规退火处理，深入研究了退火工艺对铁电薄膜结构与性能的影响。认为采用常规退火工艺处理无氧溅射的薄膜时，铁电薄膜具有更好的晶体结构和铁电性能。
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- 关键词：铁电薄膜退火工艺
- 铁电(Pb_(0.925)La_(0.075))(Zr_(0.65)Ti_(0.35))_(0.981)O_3薄膜的疲劳特性研究被引量：4
- 1995年
- 铁电薄膜(BaLiO_3,PbLiO_3,(Pb_(1-x)La_x)(Zr_yLi_(1-y))_(1-x/4)O_3(PLZL_x/y/(1-y)),LiNbO_3,Bi_4Li_3O_12等)在近20年来由于其在电、光学上的大量应用而被广泛地研究,尤其是铁电薄膜存储器综合了半导体存储器与磁存储器的优点,具有高速度、高密度、非挥发性和极好的抗辐射性等特点,并能与半导体工艺相兼容,是国际上研究的热门领域.这些应用都需要高质量的铁电薄膜,许多薄膜制备技术,如纪光闪蒸、溅射、外延沉积、化学蒸发沉积和sol-gel方法等,已被用于在各种衬底上制备铁电薄膜.
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- 关键词：铁电薄膜射频磁控溅射PLZT
- PLZT（7．5／65／35）薄膜制备与铁电性能研究
- 1995年
- 讨论了用射频磁控溅射技术制备的ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）薄膜的结构和铁电性能。研究表明，在不同的基片温度下所获得的薄膜都有（２１０）和（００２）取向的钙钛矿结构，但取向不同，峰值差别很大；经过退火处理后薄膜结构差异变小；添加少量的ＰｂＯ有利于薄膜的钙钛矿晶相的生长，ＰＬＺＴ薄膜的微观结构均匀，电性能较好。
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- 关键词：射频磁控溅射铁电性能显微结构
- 锆刚玉的合成及其性能研究
- 1994年
- 采用共沉淀法制备ＺｒＯ２超细粉，用分散处理工艺制备Ａｌ２Ｏ３超细粉，并以此为原料合成了具有低热膨胀系数的锗刚玉（ＡＺ），研究了锆刚玉的组成与晶体结构、耐压强度、热震稳定性及热膨胀系数之间的关系。结果表明，掺了ＴｉＯ２的锆刚玉其晶粒明显长大，材料的强度降低，同时也降低了材料的热膨胀系数。不含ＴｉＯ２的锆刚玉有最高的强度，同时剩余耐压强度较高，高温下的热膨胀率较大。
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- 关键词：锆刚玉超细粉
- 全文增补中
- 层状钙钛矿铁电薄膜的结构及性能研究被引量：1
- 1999年
- 介绍了ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９系列层状钙钛矿铁电薄膜的结构、性能、制备方法以及研究进展。
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- 关键词：层状钙钛矿铁电薄膜
- 铁电PZT系列薄膜结构和性能的研究被引量：2
- 1996年
- 采用射频磁控溅射技术制备了铁电PZT薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系，深入探讨了薄膜的退火工艺对薄膜晶体结构和铁电性能的影响。认为当靶材原始配方相同时，则低温（900℃）烧结的靶材使得薄膜中有过剩的PbO存在，有利于改善和提高薄膜的铁电性能；而高温（1200℃）烧结的靶材，由于退火后薄膜中PbO的含量小于化学计量比，使得薄膜的铁电性能变差。实验表明，薄膜的最佳退火条件为600～650℃，60min，典型的剩余极化强度为13．2μC／cm2，矫顽场为55．5kV／cm2。
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- 关键词：射频磁控溅射锆钛酸铅晶体结构铁电体
- 沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性被引量：2
- 1996年
- 研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb（Zr0．53Ti0．47）O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上，探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明，这种铁电PZT（53／47）薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24．8μC／cm2，矫顽场强度Ec为70kV／cm。210kV／cm的电场下，疲劳循环直到4×108次时，最大极化强度仍有20．6μC／cm2，降低了约34％，其剩余极化强度保持为10μC／cm2左右。
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- 关键词：铁电射频磁控溅射PZT
- 溅射用铁电陶瓷靶的烧结与显微结构分析被引量：6
- 1994年
- 探讨了溅射用铁电陶瓷靶（ＰＺＴ，ＰＬＺＴ）的烧结工艺，并对其显微结构进行了分析。结果表明，采用新的烧结工艺（含保护措施），可以有效地抑制ＰｂＯ的挥发，制备出组织结构及成分均匀、ＰｂＯ含量正常、致密度较高、不变形的符合磁控溅射要求的铁电陶瓷烧结靶。
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- 关键词：液相烧结显微结构
- PLZT陶瓷靶材及溅射薄膜的微观结构研究被引量：8
- 1994年
- 研究了铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷靶材及用射频磁控溅射法制备的相同组分陶瓷薄膜的矿物结构及显微结构．实验结果表明，与陶瓷靶材相比，陶瓷薄膜的结晶取向发生了较大的变化，晶粒度减小，致密度提高，但晶粒无完整的晶形．随退火温度的提高，薄膜的缺陷明显增加．
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- 关键词：陶瓷铁电陶瓷靶材
