史新福
- 作品数：5 被引量：20H指数：3
- 供职机构：西北师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金甘肃省高分子材料重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 直流反应和射频磁控溅射制备的Al掺杂ZnO薄膜结构和光学特性
- ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新一代的宽禁带半导体材料,ZnO具有优异的光学、电学及压电特性,在发光二极管、光探...
- 史新福
- 关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射铝掺杂光学性能
- 文献传递
- Cu掺杂对ZnO纳米薄膜的结构及其光学特性的影响被引量：10
- 2010年
- 采用磁控溅射法(RF)在玻璃基底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)分别对样品的形貌进行了表征,并对ZnO薄膜进行了应力分析.结果显示:所有样品都呈现出(002)衍射峰,有较好的c轴择优取向;所有样品出现有3个发光峰,分别对应于400 nm(3.14 eV,紫光),444 nm(2.78 eV,蓝光),484 nm(2.56 eV,蓝光).紫峰的存在与激子的存在有极大关系,而蓝光发射主要是由于电子从导带上向锌空位形成的浅受主能级上的跃迁.随着Cu掺杂量的增加,薄膜的带隙宽度Eg随之减小,样品光学带隙值由3.26 eV逐渐减小为2.99 eV.实验中还发现,随着Cu掺杂量增加,薄膜的透射率也随之减小.
- 马书懿毛雷鸣马慧史新福周婷婷丁继军
- 关键词：AFM光致发光光学带隙透射
- 直流反应和射频磁控溅射制备的Al掺杂ZnO薄膜结构与光学性质
- ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新一代的宽禁带半导体材料,ZnO具有优异的光学、电学及压电特性,在发光二极管、光探...
- 史新福
- 关键词：磁控溅射光学特性AL掺杂
- 文献传递
- 不同Al掺杂对ZnO薄膜结构及光学性质的影响被引量：7
- 2009年
- 采用磁控溅射法(RF)在玻璃衬底上沉积不同Al含量的ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计研究了不同浓度的掺杂对薄膜结构和光学性能的影响.结果显示:所有样品都呈现出较强的(002)衍射峰,有较好的c轴择优取向;薄膜表面平整光滑,晶界较明显;薄膜的平均透射率均在85%以上,并随着Al掺杂量的增加而降低;随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小,吸收边先蓝移,后红移.这与量子限制模型计算结果的变化趋势完全一致.
- 马书懿史新福袁玉凤毛雷鸣丁继军周婷婷
- 关键词：磁控溅射法掺杂透射
- Fe的不同掺杂量对ZnO薄膜光致发光的影响被引量：3
- 2009年
- 采用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了不同掺杂量的Fe-ZnO薄膜,分析不同掺杂量对薄膜光学性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究Fe-ZnO薄膜的微观结构和形貌结构。Fe-ZnO薄膜光致发光(PL)性质的研究发现,发光峰主要有蓝光发射和绿光发射,蓝光发射主要是由于电子从导带向锌空位形成的浅受主能级上的跃迁;绿光发射是由于电子从氧空位到锌空位的能级跃迁及导带底到氧错位缺陷能级的跃迁。由透射谱和吸收谱分析,Fe-ZnO薄膜在可见光区的平均透过率为66%,掺杂量为2%Fe的薄膜的禁带宽度最接近于ZnO的禁带宽度。
- 周婷婷马书懿毛雷鸣丁继军史新福
- 关键词：掺杂光致发光跃迁透射
