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吴世臣

作品数：36 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏理工学院更多>>
相关领域：一般工业技术哲学宗教文化科学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 24篇相变存储
  • 24篇相变存储器
  • 24篇存储器
  • 17篇晶格
  • 17篇功耗
  • 17篇超晶格
  • 12篇低功耗
  • 10篇电压
  • 10篇电压比
  • 10篇多层膜
  • 10篇多层膜结构
  • 9篇晶格结构
  • 9篇超晶格结构
  • 8篇相变
  • 8篇晶态
  • 6篇晶化
  • 6篇溅射
  • 6篇高速低功耗
  • 6篇SUB
  • 5篇热稳定

机构

  • 36篇江苏理工学院

作者

  • 36篇吴世臣
  • 36篇朱小芹
  • 35篇袁丽
  • 34篇胡益丰
  • 34篇邹华
  • 33篇吴卫华
  • 27篇眭永兴
  • 25篇张建豪
  • 23篇郑龙
  • 20篇薛建忠
  • 18篇孙月梅
  • 9篇张剑豪
  • 7篇翟良君
  • 6篇沈大华
  • 6篇尤海鹏
  • 4篇吴小丽
  • 1篇张丹

传媒

  • 1篇江苏理工学院...

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 12篇2018
  • 9篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法
本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Er<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>y</...
邹华胡益丰朱小芹张建豪郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华薛建忠眭永兴
文献传递
一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，所制备的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET...
朱小芹胡益丰邹华袁丽吴卫华郑龙张建豪吴世臣眭永兴
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一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途
本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu<Sub>28</Sub>Sn<Sub>33</Sub>Se<Sub>39</Sub>，所述Cu‑S...
胡益丰尤海鹏朱小芹邹华袁丽张剑豪孙月梅薛建忠吴世臣吴卫华郑龙翟良君
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积...
胡益丰朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴沈大华
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一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种Er‑Se‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的薄膜材料由铒、硒、锑三种元素组成，其化学通式为Er<Sub>x</Sub>(Se<Sub>y</Sub>Sb<Sub>100...
邹华胡益丰朱小芹薛建忠张建豪郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华眭永兴
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一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的掺氧SbSe纳米相变薄膜材料的化学通式为Sb<Sub>70</Sub>Se<Sub>30</Sub>Ox，其中x代表氧气流量值，...
孙月梅胡益丰邹华朱小芹眭永兴袁丽张建豪薛建忠郑龙吴世臣张丹
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稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法
本发明公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为Sb<Sub>x</Sub>A<Sub>y</Sub>；其中0&lt;x≤0.92，0&lt;y≤0.48，x+y=1.0...
邹华胡益丰朱小芹薛建忠张建豪孙月梅郑龙吴世臣袁丽吴卫华眭永兴
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稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法
本发明公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为Sb<Sub>x</Sub>A<Sub>y</Sub>；其中0&lt;x≤0.92，0&lt;y≤0.48，x+y=1.0...
邹华胡益丰朱小芹薛建忠张建豪孙月梅郑龙吴世臣袁丽吴卫华眭永兴
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一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积...
胡益丰朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴沈大华
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一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料及其制备方法
本发明公开了一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料，其组分表达式为CexSby，其中x，y为原子百分比，0&lt;x≤0.10,0.90&lt;y≤1,x+y＝1.00。本发明所提供的相变材料可实现可逆的相变过程，且相变前后...
张剑豪邹华胡益丰朱小芹薛建忠郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华眭永兴
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