吴成昌
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 纳米晶体硅量子点薄膜的制备及表征被引量：2
- 2007年
- 利用激光烧蚀沉积法在n-Si(100)衬底上制备非晶硅(-αSi)薄膜,再经过高温退火技术处理使-αSi晶化成纳米硅晶体(nc-Si)量子点.利用拉曼(Raman)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及原子力显微镜(AFM)等测试仪器对nc-Si薄膜进行表征,发现制备的nc-Si量子点排列紧密、尺寸均匀,具有很好的单晶结构,制备的nc-Si薄膜晶化比例很高,并且优先选择在[111]方向晶化.
- 张生才吴成昌肖夏王云峰姚素英赵新为
- 关键词：激光烧蚀拉曼光谱X射线衍射仪透射电子显微镜原子力显微镜
- 纳米晶体硅量子点场致发射冷阴极研究
- 场致发射显示(FED)是发光原理最接近阴极射线管(CRT)的一种平板显示器件.它具有LCD的薄板厚度、CRT般快速的响应速度和较大的动态范围.而冷阴极是FED的重要组成部分,冷阴极材料的研究一直受到人们的广泛关注.纳米晶...
- 吴成昌
- 关键词：平板显示器场致发射冷阴极ANSYS软件
- 文献传递
- 纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
- 本文在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电...
- 吴成昌肖夏赵新为张生才
- 关键词：场致发射冷阴极
- 文献传递
- 纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
- 2005年
- 在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.
- 吴成昌肖夏赵新为张生才
- 关键词：场致发射冷阴极
- 纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
- 在n-Si(4-5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极。介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹...
- 吴成昌肖夏赵新为张生才
- 关键词：场致发射冷阴极
- 文献传递
