周弘毅
- 作品数：17 被引量：16H指数：2
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基光电探测器的研究
- 探测，就像“人眼”一样，是人们探索和揭示未知世界不可或缺的重要技术手段。在众多的探测器件中，半导体探测器具有体积小、重量轻、抗震动、效率高、功耗低、寿命长、以及光谱范围广等优势，成为实现光信号探测的重要“载体”。半导体探...
- 周弘毅
- 关键词：量子效率暗电流蚁群算法
- 文献传递
- 表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法
- 表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法属于光电探测器。该PIN光电探测器其特征在于：在原来覆盖整个光敏面的单一p型轻掺杂区105，选择性的加入p型重掺杂区106，同时使p型重掺杂区106与p型欧姆接触层104相...
- 郭霞周弘毅栾信信
- 文献传递
- Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究被引量：2
- 2012年
- 采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响,硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低,同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小,选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中,离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时,文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响,结果表明,通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下,压强改变对于硅刻蚀形貌的影响,发现通过降低压强,可以明显地抑制杂草的产生。
- 郭帅周弘毅陈树华郭霞
- 关键词：感应耦合等离子体CL2/AR
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与...
- 郭霞关宝璐李川川郝聪霞任秀娟李硕郭帅周弘毅史国柱周治平陈树华
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- 表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法
- 表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法属于光电探测器。该PIN光电探测器其特征在于：在原来覆盖整个光敏面的单一p型轻掺杂区105，选择性的加入p型重掺杂区106，同时使p型重掺杂区106与p型欧姆接触层104相...
- 郭霞周弘毅栾信信
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- 一种负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管
- 本发明提供了一种负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，属于半导体光电子技术领域，包括依次纵向层叠的衬底101、金属键合层102、红光发光二极管103、第一透明的正温度系数电阻104，绿光发光二极管105、第二透明的正温度...
- 郭霞关宝璐周弘毅苏治平沈光地
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- 偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形...
- 关宝璐郭霞史国柱李硕王强周弘毅陈树华苏治平
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- 一种高增益雪崩二极管
- 一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温...
- 郭霞关宝璐周弘毅郭帅陈树华
- 硅基雪崩光电探测器倍增层掺杂的研究被引量：2
- 2014年
- 硅基雪崩光电探测器的器件性能与倍增层的掺杂浓度有着密切联系。研究了硅基雪崩光电探测器倍增层的掺杂浓度对雪崩击穿电压和光谱响应度等特性的影响。在硼的注入剂量由5.0×1012 cm-2减小为2.5×1012cm-2时,倍增层内电场强度逐渐降低,吸收区电场强度迅速增大,器件的雪崩击穿电压由16.3V迅速上升到203V,而光谱响应在95%的击穿电压下,峰值响应波长由480nm红移至800nm,对应的响应度由11.2A/W剧增到372.3A/W。综合考虑光谱响应和雪崩击穿电压的影响,在硼注入剂量为3.5×1012 cm-2时,可获得击穿电压为43.5V和响应度为342.5A/W的器件模型,对实际器件的制备具有一定参考价值。
- 崔文凯武华马云飞周弘毅郭霞
- 关键词：SIAPD光谱响应
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到...
- 关宝璐任秀娟郭霞李硕史国柱李川川郝聪霞郭帅周弘毅苏治平陈树华
- 文献传递
