徐跃
- 作品数:130 被引量:62H指数:4
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- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>
- 一种电流信号检测装置
- 本实用新型公开了一种电流信号检测装置,该装置包括功率放大电路、电流传感器模块、差分放大电路、带通滤波电路、后置放大器电路、射极跟随器电路和信号采集电路。外部周期信号作为整个系统的输入信号,该信号经过功率放大电路后经过电流...
- 郭靖左泰林张越祁长军徐跃
- 文献传递
- 一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路模型的仿真方法
- 本发明的目的是提供一种结构简单、精度高、能在通用的电子电路仿真器上进行模拟的十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路仿真模型。由12个非线性N阱电阻、8个PN结结电容和4个受电流控制的电压源构成中心对称的结构网络;将十字形器...
- 徐跃赵菲菲吴金山吴佩莉何迟王凱玄
- 文献传递
- 一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器
- 本发明揭示了一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器,该磁场传感器包括垂直对称设置的第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器,第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器共用第三N+区。该磁场传感器包括硅衬底、绝缘体层...
- 徐跃宋福明袁丰
- 文献传递
- 一种CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路
- 本发明公开了一种CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路,用于稳定CMOS集成霍尔传感器输出的霍尔电压,使之不随温度发生变化。该温度补偿电路包括基准电流源、PMOS镜像电流源、低温补偿比例电流源、高温补偿比例电流源、温度控制电...
- 徐跃李鼎赵庭晨
- 文献传递
- 一种双通道宽带霍尔电流传感器及实现方法
- 本发明提出了一种双通道带宽霍尔电流传感器及实现方法,属于磁传感器技术领域。所述的双通道带宽霍尔电流传感器包括1个低频通路,1个高频通路,1个匹配网络,1个时钟产生电路和1个片上S型铜轨。本发明结构新颖且实现简单,低频通路...
- 徐跃崔博伟
- 一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元
- 本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元,该阵列单元是共用深n阱结构,即:将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里,共用阴极n+接触孔,每个SPAD器件采用正八边形结构,并进行蜂窝状排列。该阵列单元结构能够...
- 徐跃黄杨谢小朋岳恒
- 文献传递
- 一种用于单光子探测器的模拟计数电路
- 本发明公开了一种基于电容放电的线性模拟计数电路。该电路由1个计数电容C和8个NMOS管构成,其中8个NMOS管包括:MN0、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7。MN0为一个信号输入开关,MN1、MN2...
- 徐跃黄杨向平
- 文献传递
- 一种应用于光子飞行时间测量的低误码率异步计数器电路
- 本发明公开了一种应用于光子飞行时间测量的低误码率异步计数器电路,包括时钟同步电路、延时匹配链1、延时匹配链2以及回归采样异步计数器,属于单光子探测成像技术领域;本发明提出的低误码率异步计数器一方面在计数位宽增加和时钟频率...
- 李思宇徐跃
- 输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器被引量:3
- 2009年
- 设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence Spectre RF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24~2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mW.
- 徐跃杨英强
- 关键词:压控振荡器相位噪声
- 一种宽光谱响应的双结单光子雪崩二极管
- 2023年
- 基于180 nm BCD工艺提出了一种新型双结雪崩区的单光子雪崩二极管(SPAD)探测器,采用N阱/高压P阱/N^(+)埋层结构形成了两个垂直堆叠的PN结,高压P阱和N^(+)埋层交界面形成较深的主雪崩区,增强对近红外短波光子的探测概率;同时,N阱/高压P阱之间形成浅的次雪崩区,实现对蓝绿光的高效探测,两结同时工作能够有效扩展器件的光谱响应范围。TCAD仿真结果表明,与传统的P阱/深N阱结构相比,双结SPAD器件在300~940 nm的宽光谱范围内有更高的光子探测概率,在800 nm近红外短波段探测概率达到了20.6%。在3 V过偏压下,暗计数率为0.8 kHz,后脉冲概率为3.2%。
- 刘丹璐董杰许唐徐跃