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方晓丽

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:武汉大学更多>>
相关领域:一般工业技术经济管理更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇离子
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化钼
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米片
  • 2篇金属
  • 2篇金属离子
  • 2篇碱金属
  • 2篇碱金属离子
  • 2篇二硫化钼
  • 2篇插层
  • 2篇大尺寸

机构

  • 2篇武汉大学

作者

  • 2篇方晓丽
  • 2篇钱江锋
  • 2篇马森

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
3 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种利用化学插层辅助液相剥离制备大尺寸超薄二硫化钼纳米片的方法及其制备的产品
本发明公开了一种利用化学插层辅助液相剥离制备大尺寸超薄二硫化钼纳米片的方法及其制备的产品。本发明方法制备的二硫化钼纳米片为单层或少层,所述纳米片厚度为0.8‑2.5nm,片径尺寸为0.5‑10μm。其制备方法具体步骤如下...
钱江锋朱晓龙邓宇辉易睿杰苏子佩方晓丽马森
一种利用化学插层辅助液相剥离制备大尺寸超薄二硫化钼纳米片的方法及其制备的产品
本发明公开了一种利用化学插层辅助液相剥离制备大尺寸超薄二硫化钼纳米片的方法及其制备的产品。本发明方法制备的二硫化钼纳米片为单层或少层,所述纳米片厚度为0.8‑2.5nm,片径尺寸为0.5‑10μm。其制备方法具体步骤如下...
钱江锋朱晓龙邓宇辉易睿杰苏子佩方晓丽马森
共1页<1>
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